5200V bv trình điều khiển thyristor chứng nhận
$6501-49 Piece/Pieces
$400≥50Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Đặt hàng tối thiểu: | 1 Piece/Pieces |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
$6501-49 Piece/Pieces
$400≥50Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Đặt hàng tối thiểu: | 1 Piece/Pieces |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-5STP34N5200
Thương hiệu: DUY NHẤT
THYRISTOR ĐIỆN CAO CHO KIỂM SOÁT GIAI ĐOẠN
YZPST-5STP34N5200
Đặc trưng:
. Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Cấu hình cổng khuếch đại trung tâm
. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo
. Khả năng dV / dt cao
. Thiết bị lắp ráp áp lực
Chặn - Tắt bang
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
5200 |
5200 |
5300 |
V RRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại
V DRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại
V RSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
30 mA 95mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
2000 V/msec |
Tiến hành - về nhà nước
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
3600 |
|
A |
Sinewave,180o conduction TC = 70 oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
5850 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
63 |
|
kA |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
19.8×103 |
|
kA2s |
|
Latching current |
IL |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
125 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.54 |
|
V |
ITM =3000 A; Tvj=125℃ |
Threshold voltage |
VTO |
|
1.03 |
|
V |
Tvj=125℃ |
Slope resistance |
Rt |
|
0.16 |
|
mΩ |
Tvj=125℃ |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1500 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1500 V |
ĐẶC ĐIỂM VÀ TƯƠNG LAI ĐIỆN (tiếp theo)
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
- |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
7 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 400 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
10 |
|
V |
|
Năng động
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
- |
|
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
700 |
|
ms |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms; VR ³200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
5200 |
|
mAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms; VR ³200 V |
* Đối với tối đa được đảm bảo. Giá trị, liên hệ nhà máy.
ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+140 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
5.7 11.4 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
1 2 |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to heatsink |
RQ (j-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
81 |
108 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
- |
- |
2.9 |
Kg |
|
* Gắn bề mặt nhẵn, phẳng và bôi trơn
Lưu ý: đối với phác thảo trường hợp và kích thước, xem bản vẽ phác thảo trường hợp ở trang cuối của Dữ liệu Kỹ thuật này
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
150 |
100 |
108 |
3.5×3 |
35±1 |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.