2800V thyristor công suất cao cho bộ chuyển đổi năng lượng
$1551-199 Bag/Bags
$105≥200Bag/Bags
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Đặt hàng tối thiểu: | 1 Bag/Bags |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
$1551-199 Bag/Bags
$105≥200Bag/Bags
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Đặt hàng tối thiểu: | 1 Bag/Bags |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Mẫu số: YZPST-5STP24L2800
Thương hiệu: YZPST
Điều khiển pha thyristor công suất cao
YZPST-5STP24L2800
THYRISTOR ĐIỆN CAO CHO CÁC TÍNH NĂNG VÀ ỨNG DỤNG KIỂM SOÁT GIAI ĐOẠN
Tính năng, đặc điểm:
. Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Cấu hình cổng khuếch đại kỹ thuật số
. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo
. Khả năng dV / dt cao
. Thiết bị lắp ráp áp lực
Tiến hành - về nhà nước
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
2400 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,T =85oC c |
RMS value of on-state current |
ITRMSM |
|
4120 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
46
43 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC |
I square t |
I2t |
|
8.7x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
200 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
75 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.35 |
|
V |
I = 3000 A; T = 125 oC TM j |
Threshold vlotage |
VT0 |
|
0.85 |
|
V |
|
Slope resistance |
rT |
|
0.16 |
|
mΩ |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
300 |
|
A/ s |
Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
150 |
|
A/ s |
Switching from VDRM 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
- |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
- |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
400 |
|
mA |
V = 10 V;I =3A;T = +25 oC D T j |
Gate voltage required to trigger all units |
VGT |
|
2.6 |
|
V |
V = 10 V;I =3A;T = +25 oC D T j |
Peak negative voltage |
VRGM |
|
- |
|
V |
|
Năng động
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
3 |
- |
s |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
s |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+140 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
R (j-c) |
|
10 20 |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - case to sink |
R (c-s) |
|
2 4 |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
R (j-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
F |
45 |
60 |
50 |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
0.9 |
Kg |
about |
Đề cương
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.