Công suất cao thyristor cho các ứng dụng kiểm soát pha 1600V
$3501-9 Piece/Pieces
$250≥10Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
$3501-9 Piece/Pieces
$250≥10Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Mẫu số: YZPST-KP4350A1600V
Thương hiệu: Yzpst
VRRM: 1600V
VDRM: 1600V
I RRM /I DRM: 450A
I T(AV): 4350A
Đơn vị bán hàng | : | Piece/Pieces |
Loại gói hàng | : | 1. Bao bì chống điện tử 2. hộp carton 3. Bao bì bảo vệ nhựa |
Tải về | : |
Công suất cao thyristor cho các ứng dụng kiểm soát pha
YZPST-KP4350A1600V
Đặc trưng:
. Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Cấu hình cổng khuếch đại tuyến tính
. Chặn capabilty lên đến 16 00 volt
. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo
. Khả năng DV/DT cao
. Thiết bị lắp ráp áp lực
Đặc điểm điện và xếp hạng
Chặn - Tắt trạng thái
Device Type |
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
KP4350A |
1600 |
1600 |
1700 |
V rrm = điện áp đảo ngược đỉnh lặp đi lặp lại
V drm = đỉnh lặp đi lặp lại điện áp trạng thái
V RSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
450 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
300 V/msec |
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
4350 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,TS=70oC |
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
48900
|
|
A
|
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
11.9x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 12 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
450 |
|
mA |
VD = 12 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.5 |
|
V |
ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01% Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
15 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
30 |
300 200 125 |
|
mA mA mA |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.30 |
5 3
|
|
V V V |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
15 |
|
V |
|
Trường hợp phác thảo và kích thước.
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.