Ổ đĩa công suất cao Thyristor Power Control 100A
Nhận giá mới nhấtHình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-TO94-KP100A06
Thương hiệu: YZPST
Loại gói hàng | : | 1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ |
Tải về | : |
Điều khiển pha
YZPST-TO94-KP100A06
Các tính năng của thyristor điều khiển pha: 1. tất cả các thiết kế mờ nhạt 2. khả năng dòng điện cao 3. khả năng dòng điện cao 4. điện áp tốc độ cao 5. DV / DT cao 6. dòng điện cổng thấp 7. cổng động 8. trở kháng nhiệt thấp. Các ứng dụng điển hình của thyristor công suất cao là mô-đun có các ổ đĩa công suất cao, điều khiển động cơ DC, nguồn điện cao áp, chuyển đổi năng lượng trung bình và nguồn điện DC.
Xếp hạng và đặc điểm tối đa
Symbol |
Parameter |
Values |
Units |
Test Conditions |
|
ON-STATE |
|
|
|
||
ITAV |
Mean on-state current |
- |
A |
Sinewave,180° conduction,Tc=100°C |
|
ITRMS |
RMS value of on-state current |
100 |
A |
Nominal value |
|
ITSM |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
900 |
A |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 °C |
|
I2t |
I square t |
4050 |
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
|
IL |
Latching current |
100 |
mA |
VD = 12 V; RL= 12 ohms |
|
IH |
Holding current |
30 |
mA |
VD = 12 V; I = 1 A |
|
VTM |
Peak on-state voltage |
2.0 |
V |
ITM = 150 A; Duty cycle £ 0.01%; Tj = 25 °C
|
|
di/dt |
Critical rate of rise of on-state current |
non-repetitive |
300 |
A/ms |
Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM |
repetitive |
50 |
||||
BLOCKING |
|
|
|
||
VDRM VRRM |
Repetitive peak off state voltage Repetitive peak reverse voltage |
600 |
V |
|
|
VDSM VRSM |
Non repetitive peak off state voltage Non repetitive peak reverse voltage |
700 |
V |
|
|
IDRM IRRM |
Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse current |
10 |
mA |
Tj = 125 °C ,VRRM VDRM applied |
|
dV/dt |
Critical rate of voltage rise |
100 |
V/ms |
TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM |
|
TRIGGEING |
|
|
|
||
PG(AV) |
Average gate power dissipation |
- |
W |
|
|
PGM |
Peak gate power dissipation |
- |
W |
|
|
IGM |
Peak gate current |
- |
A |
|
|
IGT |
Gate trigger current |
200 |
mA |
TC = 25 °C |
|
VGT |
Gate trigger voltage |
3.0 |
V |
TC = 25 °C |
|
VT(T0) |
Treshold voltage |
1 |
V |
|
|
rT |
Slope resistance |
2.4 |
mΩ |
|
|
VGD |
Gate non-trigger voltage |
0.2 |
V |
Tj = 125 °C |
|
SWITCHING |
|
|
|
||
tq |
Turn-off time |
- |
ms |
Tj = 125 °C |
|
td |
Delay time |
- |
Gate current 1A, di/dt=1A/μs, Vd=0.67%VDRM, TJ=25 °C |
||
Qrr |
Reverse recovery charge |
- |
|
|
Nhiệt và cơ khí
Symbol |
Parameter |
Values |
Units |
Test Conditions |
Tj |
Operating temperature |
-40~125 |
°C |
|
Tstg |
Storage temperature |
-40~150 |
°C |
|
R th (j-c) |
Thermal resistance - junction to case |
0.4 |
°C/W |
DC operation ,Single sided cooled |
R th (c-s) |
Thermal resistance - case to sink |
0.08 |
°C/W |
Single sided cooled |
P |
Mounting force |
- |
Nm |
|
W |
Weight |
- |
g |
about |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.