Tần số cao DC Đóng gói công suất thyristors
Nhận giá mới nhấtHình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-T700123503BY
Thương hiệu: Yzpst
Kiểm soát giai đoạn thyristors
YZPST-T700123503by
Các tính năng của các thyristor điều khiển pha: Cấu hình cổng khuếch đại trung tâm, đóng gói liên kết nén, khả năng DV/DT cao và loại stud, chỉ inch hoặc số liệu. Các ứng dụng điển hình của các thyristor tần số cao là chuyển đổi năng lượng trung bình và nguồn cung cấp năng lượng DC.
Xếp hạng và đặc điểm tối đa
Symbol |
Parameter |
Values |
Units |
Test Conditions |
|
ON-STATE |
|
|
|
||
ITAV |
Mean on-state current |
350 |
A |
Sinewave,180° conduction,Tc=85℃ |
|
ITRMS |
RMS value of on-state current |
550 |
A |
Nominal value |
|
ITSM |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
9.1 |
KA |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I2t |
I square t |
416 |
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
|
IL |
Latching current |
- |
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
IH |
Holding current |
- |
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
VTM |
Peak on-state voltage |
1.4 |
V |
ITM = 625 A; Duty cycle £ 0.01%
|
|
di/dt |
Critical rate of rise of on-state current |
non-repetitive |
800 |
A/ms |
Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM |
repetitive |
150 |
||||
BLOCKING |
|
|
|
||
VDRM VRRM |
Repetitive peak off state voltage Repetitive peak reverse voltage |
1200 |
V |
|
|
VDSM VRSM |
Non repetitive peak off state voltage Non repetitive peak reverse voltage |
1300 |
V |
|
|
IDRM IRRM |
Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse current |
30 |
mA |
Tj = 125 oC ,VRRM VDRM applied |
|
dV/dt |
Critical rate of voltage rise |
1000 |
V/ms |
TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM |
|
TRIGGEING |
|
|
|
||
PG(AV) |
Average gate power dissipation |
3 |
W |
|
|
PGM |
Peak gate power dissipation |
16 |
W |
|
|
IGM |
Peak gate current |
- |
A |
|
|
IGT |
Gate trigger current |
150 |
mA |
TC = 25 oC |
|
VGT |
Gate trigger voltage |
3.0 |
V |
TC = 25 oC |
|
VGD |
Gate non-trigger voltage |
0.15 |
V |
Tj = 125 oC |
|
SWITCHING |
|
|
|
||
tq |
Turn-off time |
150 |
ms |
ITM=550A, TJ=TJmax, di/dt=40A/μs, VR=50V, dv/dt=20V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs |
td |
Delay time |
- |
|
Gate current A, di/dt=40A/μs, Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC |
Qrr |
Reverse recovery charge |
- |
|
|
Nhiệt và cơ học
Symbol |
Parameter |
Values |
Units |
Test Conditions |
Tj |
Operating temperature |
-40~125 |
oC |
|
Tstg |
Storage temperature |
-40~150 |
oC |
|
R th (j-c) |
Thermal resistance - junction to case |
0.1 |
oC/W |
DC operation ,Single sided cooled |
R th (c-s) |
Thermal resistance - case to sink |
0.05 |
oC/W |
Single sided cooled |
P |
Mounting force |
3.5 |
Nm |
|
W |
Weight |
- |
g |
about |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.