Mô -đun IGBT

Mô -đun 62mm với rãnh nhanh/IGBT FieldStop và Diode Phục hồi nhanh

USD 38 ~ USD 45

P/N: YZPST-P150HFN120AT1R6 Mô -đun 62mm với rãnh/trường nhanh Igbt và Nhanh Sự hồi phục Diode Đặc trưng ■ tổn thất chuyển đổi thấp ■ Vcesal thấp ■ VCE thấp (Sat với hệ số nhiệt độ dương Các ứng dụng ■ Ổ đĩa động cơ Hệ thống UPS ■ Biến tần công suất...

Trường hợp tự cảm thấp 600HFX170C6S 1700V 600A Mô -đun IGBT

USD 140 ~ USD 190

Mô-đun IGBT YZPST-600HFX170C6S 1700V/600A 2 trong một gói Mô tả chung Mô -đun năng lượng IGBT cung cấp Ultra Mất dẫn dẫn thấp cũng như độ chắc chắn ngắn mạch. Chúng được thiết kế cho các ứng dụng như Bộ biến tần chung và UPS. Đặc trưng . Công nghệ...

VCE SAT SAT Low Sat IGBT Công nghệ 450A Mô -đun IGBT 1700V

USD 120 ~ USD 160

Mô -đun IGBT YZPST-450HFX170C6S 1700V/450A 2 trong một gói Mô tả chung Mô -đun năng lượng IGBT cung cấp Ultra Mất dẫn dẫn thấp cũng như độ chắc chắn ngắn mạch. Chúng được thiết kế cho các ứng dụng như Bộ biến tần chung và UPS. Đặc trưng Công nghệ...

Hoạt động tần số cao mô-đun All-sic

USD 660 ~ USD 790

Mô-đun công suất All-SIC P/N: YZPST-230B170F62 SIC VDS = 1700V RDS (BẬT) = 7,5mΩ Các ứng dụng Nhiệt cảm ứng Bộ biến tần mặt trời và gió Bộ chuyển đổi DC/AC Đặc trưng Mất cực thấp Hoạt động tần số cao Không có dòng phục hồi đảo ngược từ diode Dòng...

Chuyển đổi nhanh và mô -đun IGBT 1200V 900A

USD 135 ~ USD 165

Mô -đun IGBT 1200V 900A P/N: YZPST-G900WB120B6TC SẢN PHẨM ĐẶC TRƯNG Chip IGBT (rãnh+FS) Điện áp bão hòa thấp và hệ số nhiệt độ dương Chuyển đổi nhanh và dòng đuôi ngắn Các điốt bánh xe miễn phí với sự phục hồi ngược nhanh và mềm Bao gồm cảm giác...

USD 21 ~ USD 28

Năng lượng cao hơn 1200V 100A IGBT Mô -đun

USD 19.5 ~ USD 29

Mô-đun IGBT 1200V 100A P/N: YZPST-G100HF120D1 Đặc trưng: 1200V100A, VCE (SAT) (TYP.) = 3,0V Thiết kế cảm ứng thấp Tổn thất thấp hơn và năng lượng cao hơn Tốc độ chuyển mạch cực nhanh SHONCIRIT tuyệt vời gồ ghề Ứng dụng chung ： Phụ trợ lnverter Làm...

YZPST 1200V 150B120F23 Mô -đun nguồn IGBT

USD 23.5 ~ USD 31.5

Mô-đun năng lượng IGBT YZPST-150B120F23 VCE = 1200V IC = 150A Các ứng dụng Biến tần cho ổ đĩa động cơ Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo UPS (nguồn cung cấp năng lượng không tham nhũng) Máy hàn chuyển mạch mềm Đặc trưng VCE thấp (SAT) với công nghệ...

Khả năng ngắn mạch cao 650V Mô -đun năng lượng IGBT 200A

USD 25 ~ USD 33

Loại mô-đun năng lượng IGBT: YZPST-SKM195GB066D Các ứng dụng Biến tần cho ổ đĩa động cơ Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo UPS (nguồn cung cấp năng lượng không tham nhũng) Máy hàn chuyển mạch mềm Đặc trưng VCE thấp (SAT) với công nghệ dừng thực địa...

Chuyển đổi nhanh mô -đun IGBT 450A 1200V

USD 79 ~ USD 89

IGBT moudle YZPST-450HF120TK-G2 ĐẶC TRƯNG Khả năng ngắn mạch cao, tự giới hạn dòng điện ngắn Chip IGBT (rãnh+ công nghệ dừng trường) VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương chuyển mạch nhanh, tổn thất chuyển đổi thấp Các điốt bánh xe miễn phí với sự phục...

600B120E53 Mô-đun năng lượng IGBT FF600R12ME4 2MBI600VN-120-50

USD 93.7 ~ USD 110

YZPST-600B120E53 Mô -đun năng lượng IGBT Các ứng dụng Biến tần cho ổ đĩa động cơ Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo UPS (nguồn cung cấp năng lượng không tham nhũng) Đặc trưng VCE thấp (SAT) với công nghệ SPT+ VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương Bao...

UPS 1700V Mô -đun nguồn IGBT

USD 135 ~ USD 195

Mô-đun năng lượng IGBT YZPST-450B170E53 Các ứng dụng Biến tần cho ổ đĩa động cơ Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo UPS (nguồn cung cấp năng lượng không tham nhũng) Fe atures VCE thấp (SAT) với công nghệ SPT+ IGBT VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương...

Khả năng ngắn mạch cao 10US 1200V Mô -đun IGBT 450A

USD 82 ~ USD 115

YZPST-450B120E53 Mô -đun IGBT Các ứng dụng Biến tần cho ổ đĩa động cơ Bộ khuếch đại ổ đĩa MC và DC servo UPS (nguồn cung cấp năng lượng không tham nhũng) Máy hàn chuyển mạch mềm Fnaturns VCE thấp (SAT) với công nghệ SPT+ VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ...

Chuyển đổi nhanh mô -đun IGBT 300A 1200V

USD 52 ~ USD 65

YZPST-300HF120TK-G2 Mô -đun IGBT 300A 1200V TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM Khả năng ngắn mạch cao, tự giới hạn dòng điện ngắn mạch Chip IGBT (rãnh+ công nghệ dừng trường) VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương Chuyển đổi nhanh và dòng đuôi ngắn, tổn thất chuyển...

Mô -đun IGBT Chip 75A 1200V

USD 15 ~ USD 21

YZPST-75HF120TK-G1 Mô -đun IGBT 75A 1200V TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM Khả năng ngắn mạch cao, tự giới hạn dòng điện ngắn mạch Khả năng ngắn mạch cao, tự giới hạn dòng điện ngắn mạch Chip IGBT (rãnh+ công nghệ dừng trường) VCE ( S AT ) với nhiệt độ sau khi...

Mô -đun IGBT được công nhận 100A 1200V

USD 19.5 ~ USD 22.5

IGBT moudle YZPST-100HF120TK-G1 TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM Khả năng ngắn mạch cao, tự giới hạn dòng điện ngắn mạch Chip IGBT (rãnh+ công nghệ dừng trường) VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương chuyển mạch nhanh, tổn thất chuyển đổi thấp Các điốt bánh xe miễn...