Khả năng ngắn mạch cao 650V Mô -đun năng lượng IGBT 200A

Name: Mô -đun IGBT SKM195GB066D
Uploaded: 2023-04-28T08:57:13+08:00
Description: Mô -đun IGBT SKM195GB066D

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Option:

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-SKM195GB066D

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VCES: 650V

IC: 200A

ICRM: 400A

VGES: ±20V

Ptot: 695W

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Ví dụ về Ảnh	:
Tải về	:

Mô -đun IGBT SKM195GB066D



Mô tả sản phẩm

Loại mô-đun năng lượng IGBT: YZPST-SKM195GB066D

Các ứng dụng

Biến tần cho ổ đĩa động cơ

Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo

UPS (nguồn cung cấp năng lượng không tham nhũng)

Máy hàn chuyển mạch mềm

Đặc trưng

VCE thấp (SAT) với công nghệ dừng thực địa

VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương

Bao gồm FWD chống song song nhanh & mềm nhanh

Khả năng ngắn mạch cao (10US)

Cấu trúc mô -đun tự cảm thấp

Nhiệt độ điểm nối tối đa 175 ℃

Tuyệt đối Tối đa Xếp hạng

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	650	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	200	A
Peak Collector Current	ICRM	tp=1ms	400	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	695	W

Đặc điểm IGBT

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃	5.1	5.8	6.3	V
		VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃			5	mA
Collector-Emitter		Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃		1.45	1.95	V
Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃		1.65		V
Input Capacitance	Cies	VCE=25V,VGE =0V,		12.3		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	f=1MHz, Tvj=25℃		0.37		nF
Internal Gate Resistance	Rgint			1		Ω
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns
Rise Time	tr	IC =200 A		48		Ns
Turn-off Delay Ttime	td(off)	VCE =300 V		348		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		58		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG = 3.6Ω		2.32		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=25℃		5.85		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns


Rise Time	tr	IC =200 A		48		Ns
Turn-off Delay Time	td(off)	VCE = 300V		364		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		102		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG =3.6Ω		3.08		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=125℃		7.92		mJ
SC Data	Isc	Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150℃ , Vcc=300V,VCEM≤650V		1000		A

Đặc điểm diode

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Recovered Charge	Qrr			8.05		uC
		IF =200 A
		VR=300V
Peak Reverse Recovery Current	Irr	-diF/dt =4200A/us		148		A
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=25℃		1.94		mJ
Recovered Charge	Qrr			16.9		uC
		IF =200 A
		VR=300V
Peak Reverse Recovery Current	Irr	-diF/dt =4200A/us		186		A
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=125℃		3.75		mJ

Mô -đun ký tự Stics t c = 25 ° C trừ khi có quy định khác

Parameter	Symbol	Conditions	Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Isolation voltage	Visol	t=1min,f=50Hz	2500			V
Maximum Junction Temperature	Tjmax				150	℃
Operating Junction Temperature	Tvj op		-40		125	℃
Storage Temperature	Tstg		-40		125	℃
		per IGBT-inverter			0.19	K/W
Junction-to Case	R θjc	per Diode-inverter			0.31	K/W
Case to Sink	R θcs	Conductive grease applied		0.085		K/W
Module ElectrodesTorque	Mt	Recommended(M5)	2.5		5	N · m
Module-to-SinkTorque	Ms	Recommended(M6)	3		5	N · m
Weight of Module	G			150		g