Hoạt động tần số cao mô-đun All-sic

Name: Mô -đun SIC 230B170F62
Uploaded: 2023-05-17T06:33:03+08:00
Description: Mô -đun SIC 230B170F62

$7905-19 Piece/Pieces

$660≥20Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

VDSmax:1700V
ID Tc=25℃:230A
ID Tc=100℃:200A
VGSmax:-10V/+25V
VGSop:-5V/+20V

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-230B170F62

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VDSmax: 1700V

ID Tc=25℃: 230A

ID Tc=100℃: 200A

VGSmax: -10V/+25V

VGSop: -5V/+20V

TJ TSTG: -40℃+155℃

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Tải về	:

Mô -đun SIC 230B170F62



Mô tả sản phẩm

Mô-đun công suất All-SIC P/N: YZPST-230B170F62 SIC

VDS = 1700V RDS (BẬT) = 7,5mΩ
Các ứng dụng
Nhiệt cảm ứng
Bộ biến tần mặt trời và gió
Bộ chuyển đổi DC/AC
Đặc trưng
Mất cực thấp
Hoạt động tần số cao
Không có dòng phục hồi đảo ngược từ diode
Dòng điện tắt không có dòng điện từ mosfet
Thông thường, hoạt động thiết bị không an toàn

Dễ dàng tương đồng

1700V 7.5 mΩ in one-package

Xếp hạng tối đa tuyệt đối (T c = 25 ℃ Trừ khi có quy định khác)

Parameter
Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Drain-source voltage	VDSmax		1700	V
		VGS=20V, Tc=25℃	230
Continuous collector current	ID	VGS=20V, Tc=100℃	200	A
Gate- source voltage	VGSmax	Absolute maximum values	-10V/+25V	V
Gate-source voltage	VGSop	Recommended operational values	-5V/+20V	V
Operating Junction and Storage Temperature	TJ TSTG		-40~+155	℃

Điện Đặc trưng (T c = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate threshold voltage	VGSth	ID =108mA	2	2.6	4	V
Zero gate voltage drain current	IDSS	VDS=1700V,VGS=0V		6	600	uA
Gate-source leakage current	IGSS	VGS=20 V			1500	nA
		VGS=20V, IDS=230A		7.5	11.7	ma
On state resistance	RDS(on)	VGS=20V, IDS=230A,Tvj=150℃		15		ma
Input capacitance	Ciss			21.3		nF
Output capacitance	Coss	VGS=0V,VDS=1000V, VAC=25mV f=1MHz		0.99		nF
Reverse transfer capacitance	Crss			0.04		nF
Gate-source charge	QGS			324		nC
Gate-drain charge	QGD	VDS=1200V,VGS = +20V/-5V		150		nC
Total gate charge	QG	ID =300 A		1158		nC
Turn-on delay time	td(on)			27		ns
Turn-on delay time	td(on)	ID =180A		27		ns
Rise time	tr	VDS =1200V		32		ns
Turn-off delay time	td(off)	VGS = +20V/-5V		36		ns
Fall time	tf	RG= 2.5a		10		ns
Energy dissipation during turn-on time		ID =180A
	Eon	VDS =1200V		1.2		mJ
		VGS = +20V/-5V
		RG= 2.5a
Energy dissipation during turn-off time	Eoff	L=200uH		2		mJ
		IF=300A		1.6	1.9	V
Diode forward voltage	VSD	IF=300A,Tvj=150℃		2.2	2.8	V

Mô -đun đặc tính CS (T c = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)

Parameter			Value
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Case isolation voltage	Visol	t=1min,f=50Hz	2500			V
Maximum junction temperature	Tjmax				175	℃
Operating junction temperature	Tvj op		-40		150	℃
Storage temperature	Tstg		-40		125	℃
Module electrodes torque	Mt	Recommended(M6)	3		6
Module to heatsink torque	Ms	Recommended(M6)	3		6	Nm
Weight of module	G			300		g