VCE SAT SAT Low Sat IGBT Công nghệ 450A Mô -đun IGBT 1700V

VCE SAT SAT Low Sat IGBT Công nghệ 450A Mô -đun IGBT 1700V

Name: Mô -đun IGBT GD450HFX170C6S
Uploaded: 2024-04-07T06:57:03+08:00
Description: Mô -đun IGBT GD450HFX170C6S

$1605-49 Piece/Pieces

$120≥50Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land,Express,Others
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

VCES:1700V
VRRM:1700V
ICM:900A
VGES:±20V
PD:2542W

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-GD450HFX170C6S

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VCES: 1700V

VGES: ±20V

ICM: 900A

PD: 2542W

VRRM: 1700V

IF: 450A

IFM: 900A

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Ví dụ về Ảnh	:
Tải về	:

Mô -đun IGBT GD450HFX170C6S



Mô tả sản phẩm

Mô -đun IGBT

YZPST-450HFX170C6S

1700V/450A 2 trong một gói

Mô tả chung

Mô -đun năng lượng IGBT cung cấp Ultra

Mất dẫn dẫn thấp cũng như độ chắc chắn ngắn mạch.

Chúng được thiết kế cho các ứng dụng như

Bộ biến tần chung và UPS.

Đặc trưng
Công nghệ IGBT của VCE (SAT)
Khả năng ngắn mạch 10μs
VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương
Nhiệt độ điểm nối tối đa 175OC
Trường hợp tự cảm thấp
FWD chống song song nhanh & mềm nhanh chóng
Tấm đế bằng đồng bị cô lập bằng công nghệ DBC
Đặc trưng Các ứng dụng

Biến tần cho ổ đĩa động cơ

Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo

Cung cấp điện liên tục

IGBT

Symbol	Description	Value	Unit
VCES	Collector-Emitter Voltage	1700	V
VGES	Gate-Emitter Voltage	±20	V
IC	Collector Current @ TC=25oC @ TC= 100oC	706 450	A
ICM	Pulsed Collector Current tp=1ms	900	A
PD	Maximum Power Dissipation @ T =175oC	2542	W

Diode

Symbol	Description	Value	Unit
VRRM	Repetitive Peak Reverse Voltage	1700	V
IF	Diode Continuous Forward Current	450	A
IFM	Diode Maximum Forward Current tp=1ms	900	A

Mô -đun

Symbol	Description	Value	Unit
Tjmax	Maximum Junction Temperature	175	oC
Tjop	Operating Junction Temperature	-40 to +150	oC
TSTG	Storage Temperature Range	-40 to +125	oC
VISO	Isolation Voltage RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V

IGBT Đặc trưng TC = 25OC trừ khi có ghi chú khác

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
		IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		1.85	2.2
		IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		1.85	2.2
VCE(sat)	Collector to Emitter	IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.25		V
	Saturation Voltage	IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.35
VGE(th)	Gate-Emitter Threshold Voltage	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.6	6.2	6.8	V
ICES	Collector Cut-Off	VCE=VCES,VGE=0V,			5	mA
ICES	Current	Tj=25oC			5	mA
IGES	Gate-Emitter Leakage Current	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	nA
RGint	Internal Gate Resistance			1.67		Ω
Cies	Input Capacitance	VCE=25V,f=1MHz,		54.2		nF
Cres	Reverse Transfer	VGE=0V		1.32		nF
Cres	Capacitance			1.32		nF
QG	Gate Charge	VGE=- 15…+15V		4.24		μC
td(on)	Turn-On Delay Time			179		ns
tr	Rise Time			105		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		680		ns
tf	Fall Time			375		ns
Eon	Turn-On Switching			116		mJ
Eon	Loss			116		mJ
Eoff	Turn-Off Switching			113		mJ
Eoff	Loss			113		mJ
td(on)	Turn-On Delay Time			208		ns
tr	Rise Time			120		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		784		ns
tf	Fall Time			613		ns
Eon	Turn-On Switching			152		mJ
Eon	Loss			152		mJ
Eoff	Turn-Off Switching			171		mJ
Eoff	Loss			171		mJ
td(on)	Turn-On Delay Time			208		ns
tr	Rise Time			120		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		800		ns
tf	Fall Time			720		ns
Eon	Turn-On Switching			167		mJ
Eon	Loss			167		mJ
Eoff	Turn-Off Switching			179		mJ
Eoff	Loss			179		mJ
		tP≤10μs,VGE=15V,
ISC	SC Data	Tj=150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1800		A

Diode Đặc trưng TC = 25OC trừ khi có ghi chú khác

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
	Diode Forward	IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC		1.8	2.25
VF	Voltage	IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC		1.95		V
		IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC		1.9
Qr	Recovered Charge	VR=900V,IF=450A,		105		μC
IRM	Peak Reverse	-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC		198		A
IRM	Recovery Current			198		A
Erec	Reverse Recovery Energy			69		mJ
Qr	Recovered Charge	VR=900V,IF=450A,		187		μC
IRM	Peak Reverse	-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj= 125oC		578		A
IRM	Recovery Current			578		A
Erec	Reverse Recovery Energy			129		mJ
Qr	Recovered Charge	VR=900V,IF=450A,		209		μC
IRM	Peak Reverse	-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj= 150oC		585		A
IRM	Recovery Current			585		A
Erec	Reverse Recovery Energy			150		mJ