Trường hợp tự cảm thấp 600HFX170C6S 1700V 600A Mô -đun IGBT

Trường hợp tự cảm thấp 600HFX170C6S 1700V 600A Mô -đun IGBT

$1905-99 Piece/Pieces

$140≥100Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,Paypal,T/T
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land,Express,Others
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

VCES:1700V
ICM:1200A
IF:600A
VGES:±20V
VRRM:1700V
PD:4166W

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-600HFX170C6S

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VCES: 1700V

VGES: ±20V

ICM: 1200A

PD: 4166W

VRRM: 1700V

IF: 600A

IFM: 1200A

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Ví dụ về Ảnh	:
Tải về	:

Mô -đun IGBT GD600HFX170C6S



Mô tả sản phẩm

Mô-đun IGBT YZPST-600HFX170C6S

1700V/600A 2 trong một gói

Mô tả chung
Mô -đun năng lượng IGBT cung cấp Ultra
Mất dẫn dẫn thấp cũng như độ chắc chắn ngắn mạch.
Chúng được thiết kế cho các ứng dụng như
Bộ biến tần chung và UPS.

YZPST-GD600HFX170C6S
Đặc trưng
. Công nghệ IGBT của VCE (SAT)
. Khả năng ngắn mạch 10μs
. VCE (SAT) với hệ số nhiệt độ dương
. Nhiệt độ điểm nối tối đa 175OC
. Trường hợp tự cảm thấp
. FWD chống song song nhanh & mềm nhanh chóng
. Tấm đế bằng đồng bị cô lập bằng công nghệ DBC

Các ứng dụng tiêu biểu
. Biến tần cho ổ đĩa động cơ
. Bộ khuếch đại ổ đĩa AC và DC servo
. Cung cấp điện liên tục

IGBT

Symbol	Description	Value	Unit
VCES	Collector-Emitter Voltage	1700	V
VGES	Gate-Emitter Voltage	±20	V
IC	Collector Current TC=25oC TC= 100oC	1069 600	A
ICM	Pulsed Collector Current tp=1ms	1200	A
PD	Maximum Power Dissipation T =175oC	4166	W

Diode

Symbol	Description	Value	Unit
VRRM	Repetitive Peak Reverse Voltage	1700	V
IF	Diode Continuous Forward Current	600	A
IFM	Diode Maximum Forward Current tp=1ms	1200	A

Mô -đun

Symbol	Description	Value	Unit
Tjmax	Maximum Junction Temperature	175	oC
Tjop	Operating Junction Temperature	-40 to +150	oC
TSTG	Storage Temperature Range	-40 to +125	oC
VISO	Isolation Voltage RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V

IGBT Đặc trưng TC = 25OC trừ khi có ghi chú khác

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
		IC=600A,VGE=15V, Tj=25oC		1.85	2.2
		IC=600A,VGE=15V, Tj=25oC		1.85	2.2
VCE(sat)	Collector to Emitter	IC=600A,VGE=15V, Tj=125oC		2.25		V
	Saturation Voltage	IC=600A,VGE=15V, Tj=150oC		2.35
VGE(th)	Gate-Emitter Threshold Voltage	IC= 12.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.6	6.2	6.8	V
ICES	Collector Cut-Off	VCE=VCES,VGE=0V,			5	mA
ICES	Current	Tj=25oC			5	mA
IGES	Gate-Emitter Leakage Current	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	nA
RGint	Internal Gate Resistance			1.3		Ω
Cies	Input Capacitance	VCE=25V,f=1MHz,		72.3		nF
Cres	Reverse Transfer	VGE=0V		1.75		nF
Cres	Capacitance			1.75		nF
QG	Gate Charge	VGE=- 15…+15V		5.66		μC
td(on)	Turn-On Delay Time			170		ns
tr	Rise Time			67		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VCC=900V,IC=600A, RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		527		ns
tf	Fall Time			138		ns
Eon	Turn-On Switching			154		mJ
Eon	Loss			154		mJ
Eoff	Turn-Off Switching			132		mJ
Eoff	Loss			132		mJ
td(on)	Turn-On Delay Time			168		ns
tr	Rise Time			80		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VCC=900V,IC=600A, RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		619		ns
tf	Fall Time			196		ns
Eon	Turn-On Switching			236		mJ
Eon	Loss			236		mJ
Eoff	Turn-Off Switching			198		mJ
Eoff	Loss			198		mJ
td(on)	Turn-On Delay Time			192		ns
tr	Rise Time			80		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	VCC=900V,IC=600A, RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		640		ns
tf	Fall Time			216		ns
Eon	Turn-On Switching			259		mJ
Eon	Loss			259		mJ
Eoff	Turn-Off Switching			215		mJ
Eoff	Loss			215		mJ
		tP≤10μs,VGE=15V,
ISC	SC Data	Tj=150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		2400		A