Thiết bị lắp ráp áp suất Công suất cao thyristor 4500V

Thiết bị lắp ráp áp suất Công suất cao thyristor 4500V

$4101-9 Piece/Pieces

$310≥10Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Đặt hàng tối thiểu:	1 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	SHANGHAI

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-R3708FC45V

Thương hiệu: YZPST

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ

私域 R3708FC45V 截取 15 秒 1-1.88mb.mp4



Mô tả sản phẩm

THYRISTOR ĐIỆN CAO CHO ỨNG DỤNG KIỂM SOÁT GIAI ĐOẠN

YZPST-R3708FC45V

Đặc trưng:

. Tất cả cấu trúc khuếch tán

. Cấu hình cổng khuếch đại tuyến tính

. Chặn công suất lên tới 4500 volt

. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo

. Khả năng dV / dt cao

. Thiết bị lắp ráp áp lực

Chặn - Tắt bang

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
R3708FC45	4500	4500	4600

V RRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại

V DRM

= Re p etiti v e p eak o ff bang vo lta g e

V RSM = N o n re p etiti v e p eak re v erse vo lta g e ( 2 )

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage	IRRM / IDRM	200 mA (3)
Critical rate of voltage rise	dV/dt (4)	200 V/μsec

Tiến hành - về nhà nước

Hình dạng sóng đến 80% đánh giá V DRM . Cánh cổng mở. Tj = = 125 o C.

(5) Không lặp đi lặp lại giá trị.

(6) Các giá trị của di / dt được thành lập trong phù hợp với ĐTM / NIMA Tiêu chuẩn RS-397, Phần

5-2-2-6. T h e giá trị xác định sẽ là trong thêm vào đến cái đó thu được từ một snubber mạch, co m p tăng một 0,2 μ F tụ điện và 20 kháng chiến oh m s trong song song, tương đông với các bác sĩ thử.

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		3708		A	Sinewave,180o conduction,TS=55oC
RMS value of on-state current	ITRMS		7364		A	TS=25oC
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	ITSM		50000		A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		12.5x106		A2s	10.0 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 12 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		450		mA	VD = 12 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.1		V	ITM = 4000 A; Duty cpstcle ≤ 0.01% Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		250		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V

ĐIỆN NÉT ĐẶC TRƯNG VÀ RATING R3708FC45 - Po w er Th ristor y

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		15		A
Gate current required to trigger all units	IGT	30	300 200 125		mA mA mA	VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 3		V V V	VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		15		V

D y nam

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.5	μs	ITM = 50 A; VD = 1500 V Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	tq			250	μs	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us
Reverse recovery current	Irr				A	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V

NHIỆT VÀ CƠ KHÍ NÉT ĐẶC TRƯNG VÀ TAT LỆ

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+140		oC
Thermal resistance - junction to sink	RΘ (j-s)		0.0075 0.0150		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	98	113		kN
Weight	W			2.7	Kg.