Khả năng DV/DT cao 320A Điều khiển pha Thyristors

Khả năng DV/DT cao 320A Điều khiển pha Thyristors

$452-49 Piece/Pieces

$39≥50Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	Shanghai

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-T171-320-10

Thương hiệu: Yzpst

Loại Cung Cấp: Nhà sản xuất ban đầu

Những Tài Liệu Tham Khảo: ảnh, khác

Cấu Hình: Mảng

Phân Tích Hiện Tại: Không áp dụng

Nhiệt độ Hoạt động: -40 ° C ~ 125 ° C

Loại SCR: Cổng nhạy cảm

Kết Cấu: Độc thân

Bật điện áp: Không áp dụng

Kích Hoạt Cổng điện áp (Vgt) (tối đa): Không áp dụng

Sản Lượng Hiện Tại (tối đa): Không áp dụng

ITRMS: 502A

ITSM: 7kA

IH: 300mA

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Tải về	:

私 T171-320-10.MP4



Mô tả sản phẩm

Kiểm soát giai đoạn thyristors

YZPST-T171-320-10

Đặc trưng

Cấu hình cổng khuếch đại trung tâm

Nén đóng gói liên kết

Khả năng DV/DT cao

Loại stud, chỉ inch hoặc số liệu

Các ứng dụng tiêu biểu

Chuyển đổi năng lượng trung bình

Nguồn cung cấp năng lượng DC

Xếp hạng và đặc điểm tối đa

Symbol	Parameter		Values	Units	Test Conditions
ON-STATE
I_TAV	Mean on-state current		320	A	Sinewave,180° conduction,Tc=84^oC
I_TRMS	RMS value of on-state current		502	A	Nominal value
I_TSM	Peak one cycle surge (non repetitive) current		7	kA	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I²t	I square t		240	KA²s	8.3 msec and 10.0 msec
I_L	Latching current		700	mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
I_H	Holding current		300	mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
V_TM	Peak on-state voltage		1.6	V	I_TM = 1005 A
di/dt	Critical rate of rise of on-state current	non-repetitive	1000	A/ms	Gate drive 20V, 20Ω, t_r≤1μs, T_j=T_jmax, anode voltage≤80% V_DRM
di/dt	Critical rate of rise of on-state current	repetitive	-	A/ms
BLOCKING
V_DRM V_RRM	Repetitive peak off state voltage Repetitive peak reverse voltage		1000	V
V_DSM V_RSM	Non repetitive peak off state voltage Non repetitive peak reverse voltage		1100	V
I_DRM I_RRM	Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse current		70	mA	T_j = 100 ^oC ,V_RRM V_DRMapplied
dV/dt	Critical rate of voltage rise		500	V/ms	T_J=T_Jmax, linear to 80% rated V_DRM
TRIGGEING
P_G(AV)	Average gate power dissipation		3	W
P_GM	Peak gate power dissipation		-	W
I_GM	Peak gate current		6	A
I_GT	Gate trigger current		250	mA	T_C = 25 ^oC
V_GT	Gate trigger voltage		2.5	V	T_C = 25 ^oC
V_GD	Gate non-trigger voltage		0.6	V	T_j = 125 ^oC
V_T0			1.006	V	T_j = 125 ^oC
r_T			0612	mΩ
SWITCHING
t_q	Turn-off time		125	ms	I_TM=320A, T_J=T_Jmax, di/dt=10A/μs, V_R=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, t_p=500μs
t_d	Delay time		-	ms	Gate current A, di/dt=40A/μs, V_d=0.67%V_DRM, T_J=25^oC

Nhiệt và cơ học

Symbol	Parameter	Values	Units	Test Conditions
T_j	Operating temperature	-40~125	^oC
T_stg	Storage temperature	-40~125	^oC
R_{th (j-c)}	Thermal resistance - junction to case	0.085	^oC/W	DC operation ，Single sided cooled
R_{th (c-s)}	Thermal resistance - case to sink	-	^oC/W	Single sided cooled
P	Mounting force	-	Nm	± 10 %
W	Weight	440	g	about