BT152-600R/800R
Mesa 20A BT152 SC20 Single
YZPST-BT152
● Tính năng sản phẩm
Thiết bị đơn phương Silicon Cấu trúc bốn lớp NPNP,
P+ trên sự cô lập qua khuếch tán qua,
Cấu trúc mesa đơn (mesa đơn),
Bảng thụ động kính,
Kim loại điện cực sau (Anode): Ti-Ni-Ag
Khả năng cao của khả năng chống sốc hiện tại
● Các mục đích chính
Công tắc hiện tại xen kẽ,
Bộ chuyển đổi nguồn AC DC,
Kiểm soát hệ thống sưởi điện
Điều khiển tốc độ động cơ
● Gói
TO-220M1 TO-220F
Tính năng chính (TJ = 25 ℃)
|
Symbol
|
Value
|
Unit
|
|
IT (RMS)
|
20
|
A
|
|
VDRM VRRM
|
600/800
|
V
|
|
IGT
|
≤200
|
uA
|
Xếp hạng tuyệt đối (giá trị giới hạn)
|
Symbol
|
Parameter
|
Value
|
Unit
|
|
IT (RMS)
|
RMS on-state current (180 °conduction angle)
|
20
|
A
|
|
IT(AV)
|
AV on-state current (180 °conduction angle)
|
13
|
A
|
|
ITSM
|
Non repetitive surge peak on-state
|
200
|
A
|
|
Current (tp=10ms)
|
|
IGM
|
Peak gate current(tp=20us)
|
4
|
A
|
|
PGM
|
Peak gate power
|
5
|
W
|
|
PG(AV)
|
Average gate power
|
1
|
W
|
|
Tstg
|
Storage temperature
|
110
|
℃
|
|
Tj
|
Operating junction temperature
|
85
|
Điện trở nhiệt
|
Symbol
|
Parameter
|
|
Value
|
Unit
|
|
|
|
TO-220M1
|
2.2
|
|
|
Rth (j-c)
|
Junction to case
|
TO-220F
|
2.5
|
℃/W
|
Đặc điểm điện (TJ = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)
|
Symbol
|
Test Conditions
|
Value
|
Unit
|
|
Min
|
Type
|
Max
|
|
IGT
|
VD=12V, RL=33Ω
|
----
|
5
|
25
|
mA
|
|
VGT
|
VD=12V, RL=33Ω
|
-----
|
-----
|
1.3
|
V
|
|
VGD
|
VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃
|
0.2
|
-----
|
-----
|
V
|
|
IH
|
IT=500mA
|
-----
|
-----
|
30
|
mA
|
|
IL
|
IG=1.2IGT
|
-----
|
-----
|
60
|
mA
|
|
dV/dt
|
VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃
|
500
|
|
|
v/ μs
|
|
-----
|
-----
|
|
VTM
|
IT=30A,tp=380 μs
|
-----
|
-----
|
1.6
|
V
|
|
dI/dt
|
IG=2IGT
|
50
|
-----
|
-----
|
A/μs
|
|
I2T
|
Tp=10ms
|
-----
|
-----
|
200
|
A2S
|
|
|
|
Tj=25℃
|
-----
|
-----
|
10
|
μA
|
|
IDRM
|
VD=VDRM
|
Tj=125℃
|
-----
|
-----
|
1
|
mA
|
|
|
|
Tj=25℃
|
-----
|
-----
|
10
|
μA
|
|
IRRM
|
VR=VRRM
|
Tj=125℃
|
-----
|
-----
|
1
|
mA
|
Thước đo của gói
((TO--220F))
Contact Now
