Hiệu suất đạp xe nhiệt cao BT145-800R TO-220 SCR

Desrcrip:
Máy chỉnh lưu điều khiển silicon bị thụ động (SCR) trong gói nhựa TO220 dành cho sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu khả năng điện áp chặn hai chiều cao, khả năng khởi động cao và hiệu suất đạp xe nhiệt cao.
Tính năng và lợi ích
Kiểm soát công suất AC
Khả năng điện áp chặn hai chiều cao
Hiệu suất đạp xe cao
Planar thụ động cho điện áp gồ ghề và độ tin cậy
Khả năng nhiệt độ hoạt động cao (TJ (Max) = 150 ° C)
Gói đáp ứng yêu cầu dễ cháy của UL94V0
Gói là tuân thủ ROHS
IEC 61000-4-4 nhanh chóng
Các ứng dụng
Đánh lửa xả điện dung (CDI)
Bảo vệ Crowbar
Bảo vệ Inrush
Điều khiển động cơ
Điều chỉnh điện áp

Khả năng nhiệt độ hoạt động cao (TJ (Max) = 150 ° C)

Nhanh dữ liệu tham khảo

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Absolute maximum rating
VRRM	repetitive peak reverse voltage			-	-	800	V
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128 °C;		-	-	25	A
		Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3
ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5		-	-	300	A
		half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms		-	-	330	A
Tj	junction temperature			-	-	150	°C
Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Static characteristics
IGT	gate trigger current	VD     = 12 V; IT   = 0.1 A; Tj    = 25 °C; Fig. 7		1.5	-	15	mA
IH	holding current	VD   =  12 V; Tj    = 25 °C; Fig. 9		-	-	60	mA
VT	on-state voltage	IT   = 30 A; Tj    = 25 °C; Fig.  10		-	1.1	1.5	V
Dynamic characteristics
dVD/dt	rate of rise of off-state voltage	VDM     = 536 V; Tj      =  150  °C;  (VDM     = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit		80	-	-	V/μs

Giới hạn giá trị

Tôi n Tùy theo với các Tuyệt đối Tối đa Xếp hạng Hệ thống ( IEC 60134).

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Max	Unit
VDRM	repetitive peak off-state voltage			-	800	V
VRRM	repetitive peak reverse voltage			-	800	V
IT(AV)	average on-state current	half sine wave; Tmb  ≤ 128°C;		-	16	A
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3		-	25	A

ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5		-	300	A
		half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms		-	330	A
I2t	I2t for fusing	tp    = 10 ms; SIN		-	450	A2s
d IT/dt	rate of rise of on-state current	IG   = 20 mA		-	200	A/μs
IGM	peak gate current			-	5	A
VRGM	peak reverse gate			-	5	V
	voltage
PGM	peak gate power			-	20	W
PG(AV)	average gate power	over any 20 ms period		-	0.5	W
Tstg	storage temperature			-40	150	°C
Tj	junction temperature			-	150	°C

Đặc điểm nhiệt

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Rth(j-mb)	thermal resistance	Fig. 6		-	-	1	K/W
	from junction to
	mounting base
Rth(j-a)	thermal resistance	in free air		-	60	-	K/W
	from junction to
	ambient free air