Chuyển mạch nhanh 1300V Thyristor RCT dẫn điện ngược

$3801-49 Piece/Pieces

$190≥50Piece/Pieces

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-SHR400R22

Thương hiệu: YZPST

VDRM / VRRM: 1300v

IDRM: 35ma

DV/dt: 1000 V/Sec

ITRMS: 630a

IT(AV): 400a

ITSM: 7200a

VTM: 3.0v

Mô tả sản phẩm

YZPST-SHR400R22 Chuyển mạch nhanh Thyristor dẫn ngược

RCT ĐỐI VỚI ỨNG DỤNG INVERTER VÀ CHOPPER

Đặc trưng:

Tất cả cấu trúc khuếch tán

Cấu hình cổng khuếch đại được xen kẽ

Chặn điện áp lên đến 1300 volt

Thời gian tắt tối đa được đảm bảo

Khả năng dV / dt cao

Thiết bị lắp ráp áp suất

Chặn - Trạng thái tắt

Device Type	VDRM	VDSM
SHR400R22	1300	1300

V _DRM = Điện áp trạng thái tắt đỉnh lặp lại

V _D _S _M = Điện áp trạng thái tắt đỉnh không lặp lại

(Không lặp lại <5ms, T _j = 0 ～ 115 ℃)

Repetitive peak off state leakage	I_DRM	35 mA
Critical rate of voltage rise	dV/dt	1000 V/msec

Ứng xử - trên trạng thái

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ	Units	Conditions
RMS value of on-state current	I_TRMS		630		A	Nominal value
Average on-state current	I_T(AV)		400		A	Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction
Peak one cycle surge on-state current(non repetitive)	I_TSM		7200		A	50Hz, sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 115 ^oC
I²t Limit Value	I²t		200x10³ (On-Current)		A²s
I²t Limit Value	I²t		31x10³ (Reverse Current)		A²s
Peak on-state voltage	V_TM		3.0		V	I_TM =1250A; T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current	di/dt		100		A/ms	V_D=1/2V_DRM,I_TM=800A f=60H_ZI_GM=1.5A,di_G/dt=1.0A/us,Tj=115℃
Average reverse current	I_R(AV)		150		A	Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction
RMS reverse currrnt	I_R(RMS)		235		A
Peak reverse voltage	V_RM		2.5		V	I_RM=500A, T_j = 25 ^oC
Peak one cycle surge reverse current(non repetitive)	I_R_SM		2500		A	50Hz, sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 115 ^oC
Critical rate of rise of commutating off-state voltage	(dv/dt)_C	200			A/ms	I_TM=2000A,tw=60us,I_RM=1000A, ,V_DM=1/2V_DR_M,Pulse width 60ms ,Tj=115℃,

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		20		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		4		W
Peak gate current	I_GM		4		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		200		mA	V_D = 6 V;R_L = 6 ohms;T_C = 25 ^oC
Holding current	I_H		500			T_j = 25 ^oC ;R_L = 6 ohms
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 6 V;R_L = 6 ohms;T_C = 25^oC
Peak non- trigger voltage	V_GD		0.15		V	T_j = 115 ^oC;V_D=1/2V_DRM