FR1000AX50 Chuyển mạch nhanh điều khiển ngược dòng RCT

FR1000AX50 Chuyển mạch nhanh điều khiển ngược dòng RCT

$10001-19 Piece/Pieces

$600≥20Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Đặt hàng tối thiểu:	1 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	Shanghai

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-FR1000AX50

Thương hiệu: DUY NHẤT

私域 fr1000ax50 截取 15m 秒 1-4,25m

私域 fr1000ax50 截取 15 秒 2-3,6m



Mô tả sản phẩm

FR1000AX50 Công tắc chuyển mạch ngược nhanh

RCT CHO ỨNG DỤNG INVERTER VÀ CHOPPER

2500 V DRM; 1550 Một rms

YZPST-FR1000AX50

Đặc trưng:

. Tất cả cấu trúc khuếch tán

. Cấu hình cổng khuếch đại kỹ thuật số

. Chặn cap capty lên đến 2500 volt

. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo

. Khả năng dV / dt cao

. Thiết bị lắp ráp áp lực

ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN VÀ T R LỆ

Chặn - Tắt bang

Device Type	VDRM (1)	VDSM (1)
FR1000AX50	2500	2500

VDRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại

Repetitive peak off state leakage

I_DRM

20 mA

80mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

700 V/msec

Ghi chú:

Tất cả các xếp hạng được chỉ định cho Tj = 25 ^o C trừ khi

nói cách khác.

(1) Tất cả các xếp hạng điện áp được chỉ định cho một ứng dụng

Dạng sóng hình sin 50Hz / 60zHz trên

phạm vi nhiệt độ -40 đến +125 ^o C.

(2) 10 phút tối đa độ rộng xung

(3) Giá trị tối đa cho Tj = 125 ^o C.

(4) Giá trị tối thiểu cho tuyến tính và hàm mũ

waveshape đến 80% đánh giá V _DRM . Cổng mở.

Tj = 125 ^o C.

(5) Giá trị không lặp lại.

Tiến hành - về nhà nước

Parameter	Symbol	Max.	Typ.	Units	Conditions
RMS value of on-state current	I_TRMS	1550		A	Nominal value
Average on-state current	I_T(AV)	1000		A	Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I_TSM	14000		A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t	8.2.x10⁵		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
RNS reverse currrnt	I_R(RMS)	630		A
Average reverse current	I_R(AV)	400		A	Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction
Peak on-state voltage	V_TM	2.2		V	I_TM=1000A T_j = 125 ^oC
Peak reverse voltage	V_RM	4.0		V	I_RM=1200A, T_j = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current	di/dt	300		A/ms	V_D=1/2V_DRM,I_TM=800A f=60H_ZI_GM=1.5A,di_G/dt=1.0A/us,Tj=125℃
Critical rate of decrease of reverse conmmutating current	(di/dt)_C	200		A/ms	I_TM=4000A,tw=60us,I_RM=4000A,dv/dt=700V/us,V_DM=1/2V_DRN,Tj=125℃,Saturable reactor7500v.us

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		8		W
Peak gate current	I_GM		10		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		350		mA	V_D = 6 V;R_L = 2 ohms;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		4		V	V_D = 6 V;R_L = 2 ohms;T_j = 25^oC
Peak non- trigger voltage	V_GD		0.2		V	T_j = 125 ^oC;V_D=1/2V_DRM

Năng động

Parameter

Symbol

Max.

Typ.

Units

Conditions

Turn-off time

t_q

I_TM =4000 A; di₁/dt = -200A/ms;

di₂/dt=50A/us,I_RM=500A; dV/dt =700 V/ms V_DR=1250V

T_j = 125 ^oC;tw=60us

ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thyristor part thermal resistance - junction to fin	R_Q_Ⅰ_(j-f)		0.022		^oC/W	Double sided cooled
Diode part thermal resistamce – junction to fin	R_Q_Ⅲ_(j-f)		0.070		^oC/W	Double sided cooled
Mounting force	P		45		kN
Weight	W		670		g