Độ tin cậy cao MFC200 1600V Mô -đun diode Thyristor

Độ tin cậy cao MFC200 1600V Mô -đun diode Thyristor

Name: Mô-đun diode thyristor MFC200-16
Uploaded: 2023-05-30T09:09:02+08:00
Description: Mô-đun diode thyristor MFC200-16

$2550-999 Piece/Pieces

$18≥1000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

VRRM:1600V
VDRM:1600V
VRSM:1700V
IRRM, IDRM:70 mA
dv/dt:1000 V/µs
ITAV, IFAV:216A

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-MFC200-16

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VRRM: 1600V

VDRM: 1600V

VRSM: 1700V

IRRM, IDRM: 70 mA

Dv/dt: 1000 V/µs

ITAV, IFAV: 216A

ITRMS, IFRMS: 340A

ITSM, IFSM: 6.8kA

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Ví dụ về Ảnh	:
Tải về	:

Mô-đun diode thyristor MFC200-16



Mô tả sản phẩm

YZPST-MFC200-16
Mô -đun thyristor / diode
Đặc trưng:
- Truyền nhiệt qua tấm kim loại bị cô lập bằng gốm nhôm-nitride
- Các khớp hàn cứng cho độ tin cậy cao
- Thyristor với cổng khuếch đại
Các ứng dụng tiêu biểu:
- Điều khiển động cơ DC - Máy khởi động mềm động cơ AC
- Kiểm soát nhiệt độ
- ánh sáng chuyên nghiệp mờ

Đảo ngược chặn - Off -State

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
YZPST MFC200	1600 V	1600 V	1700 V

VRRM = Điện áp đảo ngược đỉnh lặp đi lặp lại

VDRM = Điện áp ngoài trạng thái lặp đi lặp lại

VRSM = Điện áp đảo ngược đỉnh không lặp lại (2)

Repetitive reverse and off-state peak leakage current	IRRM, IDRM	70 mA (3)
Critical rate of rise of off-state voltage	dv/dt	1000 V/µs (4)

Tiến hành

Parameter	Symbol	Min	Max	Typ	Unit		Conditions
Average on-state / forward current	ITAV, IFAV		216			A	50 Hz sine wave,180o conduction,
							Tc = 85 °C
RMS on-state / forward current	ITRMS, IFRMS		340			A	50 Hz sine wave,180° conduction,
							Tc = 85 °C
Surge non repetitive current	ITSM, IFSM		6.8			kA	50 Hz sine wave
							Half cycle
I squared t	I2 t		231			kA2s	VR = 0
							Tj = Tjmax
Peak on-state / forward voltage	VTM, VFM		1.1			V	On-state current 200 A, Tj = Tjmax
Threshold voltage	VT(TO)		0.8			V	Tj = Tjmax
On-state slope resistance	rT		1.4			mΩ	Tj = Tjmax
Holding current	IH			150		mA	Tj = 25 °C
Latching current	IL			200		mA	Tj = 25 °C
Critical rate of rise of on-state current	di/dt		500			A/µs	IG = 5 IGT, tr= 1 µs, Tj = Tjmax, non rep.
RMS isolation voltage	VINS		3000			V	AC 50 Hz, 60 s