2000V Thyristor Diode Module Thyristor chip với cổng trung tâm

2000V Thyristor Diode Module Thyristor chip với cổng trung tâm

Name: Mô-đun diode thyristor YZPST-MCD215-20I01
Uploaded: 2023-04-25T07:13:03+08:00
Description: Mô-đun diode thyristor YZPST-MCD215-20I01

$3110-99 Piece/Pieces

$22.5≥100Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

VDRM/VRRM:2000V
VRSM:2100V
IT(AV):215A
ITRMS:340A
(di/dt)cr:100A/us

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-MCD215-20I01

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VDRM/VRRM: 2000V

VRSM: 2100V

IT(AV): 215A

ITRMS: 340A

(di/dt)cr: 100A/us

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Ví dụ về Ảnh	:
Tải về	:

Mô-đun diode thyristor YZPST-MCD215-20I01



Mô tả sản phẩm

Mô-đun thyristor/diode YZPST-MCD215-20I01

Đặc trưng
· Gói tiêu chuẩn công nghiệp
· Tấm đế cách điện bằng điện
· Truyền nhiệt qua gốm oxit nhôm
tấm đế kim loại cách nhiệt
· Chip hàn trên đồng liên kết trực tiếp AL2O3
gốm sứ
· Chip Thyristor có cổng trung tâm

Các ứng dụng tiêu biểu

· Điều khiển động cơ DC

· Bộ khởi động mềm động cơ AC

· Kiểm soát nhiệt độ

· Ánh sáng chuyên nghiệp mờ

VDRM/VRRM	Tj=25°C	2000	V
VRSM	Tj=25°C	2100	V

Tối đa Xếp hạng

Symbol	Condition	Ratings	Unit
IT(AV)	sin. 180; Tc =85°C,	215	A
ITRMS	sin. 180; Tc =125°C,	340	A
ITSM	Tvj =45°C; 10 ms	8000	A
ITSM	Tvj =125°C; 10 ms	6800	A
I2t	Tvj =45°C; 8,3…10 ms	320	kA2S
(di/dt)cr	non-repetitive	100	A/us
Viso	A.C. 1s / 1min.	3600/3000	V
Tj		-40 ~ + 125	°C
Tstg		-40 ~ + 125	°C
W	About	150	g

Đặc điểm điện từ

Symbol	Condition	Ratings	Unit
IDRM /IRRM	AtVDRM, Tj=125°C	15	mA
VT	On-State Current 200A, Tj=25°C	1.20	V
VT(TO)	Tj=125°C	0.80	V
tgd	Tj=25°C	2	us
tq	Tj=100°C	200	us
IGT/VGT	Tj=25°C	150 / 2.0	mA/V
VGD	Tj=125°C	0.25	V
(dv/dt)cr	Tj=125°C	1000	V/us
IH	Tj=25°C, max.	150	mA
IL	Tj=25°C, max.	200	mA
Rth(j-c)	Per Module	0.13	K/W