Name: MOSFET FQP3P50 TO220
Uploaded: 2024-04-07T11:12:04+08:00
Description: MOSFET FQP3P50 TO220

$0.721000-9999 Piece/Pieces

$0.58≥10000Piece/Pieces

Option:

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-FQP3P50

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VDSS: -500V

VGSS: ±30V

ID Tc=25℃: -2.7A

ID Tc= 100℃: -1.71A

IDM: -10.8A

Ptot: 85W

Tj: 150℃

Tstg: -55-150℃

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Ví dụ về Ảnh	:
Tải về	:

MOSFET FQP3P50 TO220



Mô tả sản phẩm

FQP3P50 MOSFET

P/N: YZPST-FQP3P50

Desrcrip:

FQP3P50 là công suất chế độ tăng cường kênh P

MOSFET. Mosfet điện này thường được sử dụng trong tốc độ cao

Chuyển đổi nguồn cung cấp nguồn, bộ khuếch đại âm thanh DC

Điều khiển động cơ, và các ứng dụng công suất chuyển đổi biến.

YZPST-FQP3P50 TO-220

Xếp hạng tuyệt đối của mẹ tôi

Symbol	Parameter		Value	Unit
VDSS	Drain-Source Voltage		-500	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±30	V
		Tc=25℃	-2.7	A
ID	Continuous Drain Current	Tc= 100℃	-1.71	A
IDM	Pulsed Drain Current		-10.8	A
Ptot	Power Dissipation (TC=25°C)	To-220C	85	W
Tj	Junction Temperature		150	℃
Tstg	Operation and Storage Temperature		-205	℃
EAS	Avalanche Energy		250	mJ

Đặc điểm điện (TC = 25 ° C, trừ khi có quy định khác)

Symbol	Parameter	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Min	Type	Max	Unit
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS= 0V, ID=- 250μA	-500			V
		VDS=-500V ,VGS=0V			-1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-400V,VGS=0V ，			-100	uA
		Tc=125℃			-100	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS= ±30V			±100	nA
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS= VGS,ID= - 250uA	-3		-5	V
RDS(ON)	Static Drain-Source On-State Resistance	VGS= -10V ，ID= -1A			5	Ω
∆BVDSS / ∆TJ	Breakdown Voltage Temperature Coefficient	ID = -250 µA,		0.42		V/℃