800V BTA216B-800B Triac phù hợp cho mục đích chung AC chuyển đổi

800V BTA216B-800B Triac phù hợp cho mục đích chung AC chuyển đổi

Name: Triac BTA216B-800B TO-263
Uploaded: 2023-08-30T08:27:15+08:00
Description: Triac BTA216B-800B TO-263

$0.183000-9999 Piece/Pieces

$0.15≥10000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land,Air,Others
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):16A
VDRM:800V
VRRM:800V
IGT:≤10mA
di/dt:100A/μs
IGMl:2A

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-BTA216B-800B

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

IT(RMS): 16A

VDRM: 800V

VRRM: 800V

IGT: ≤10mA

Di/dt: 100A/μs

IGM: 2A

VGM: 5W

PGM: 5W

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Tải về	:

Triac BTA216B-800B TO-263



Mô tả sản phẩm

BTA216B-600B/800B Triacs

Desrcrip:

Do sự thụ động của kính tách, các thiết bị này có hiệu suất tốt ở DV/DT và độ tin cậy. Sê -ri Triac phù hợp cho việc chuyển đổi AC có mục đích chung. Chúng có thể được sử dụng như một chức năng bật tắt trong các ứng dụng như rơle tĩnh, điều chỉnh sưởi ấm hoặc cho hoạt động điều khiển pha trong bộ điều chỉnh ánh sáng, bộ điều khiển tốc độ động cơ.

YZPST-BTA216B-800B

NHỮNG ĐẶC ĐIỂM CHÍNH

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	16	A
VDRM/VRRM	600/800	V
IGT	≤10	mA

Xếp hạng tuyệt đối của mẹ tôi

Symbol	PARAMETER		Value	Unit
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	TO-263.Non-Ins TC≤99℃	16	A
	Non repetitive surge peak on-state current	t=20ms	140
ITSM	(full sine wave, Tj=25℃)	t= 16.7ms	150	A
I2t	I2t Value for fusing	t= 10ms	98	A2S
di/dt	Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering	ITM = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us	100	A/μs
IGM	Peak gate current,	—	2	A
VGM	Peak gate voltage	—	5	W
PGM	Peak gate power	—	5	W
PG(AV)	Average gate power	over any 20 ms period	0.5	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 to +150		℃
Tj	Operating junction temperature range	125		℃

Đặc điểm điện (TJ = 25。C, trừ khi có quy định khác)
Đặc điểm tĩnh

Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	MIN	TYPE	MAX	Unit
IGT	Gate trigger current	VD= 12V, IT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	10	mA
		VD= 12V, IT=0. 1A		-	0.7	1.5
VGT	Gate trigger voltage	VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C		0.25	0.4	-	V
VT	On-state voltage	IT=20A		-	1.2	1.5	V
IH	Holding current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-		mA
			Ⅰ-Ⅲ	-	-	60	mA
IL	Latching current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅱ	-	-	90	mA
ID	Off-state leakage current	VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C		-	0.1	0.5	mA