YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Thiết bị đĩa bán dẫn (loại viên nang)> Thyristor bất đối xứng.> Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V
Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V
Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V
Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V
Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V
Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V
Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V

Máy đo không đối xứng 60mA VRRM 30V

$601-99 Piece/Pieces

$48≥100Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Đặt hàng tối thiểu:1 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:Ocean,Air
Hải cảng:SHANGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-A1237NC280

Thương hiệuDUY NHẤT

私域 A1237NC280 截取 15 秒 1-2,8m
私域 A1237NC280 截取 视频 15 秒 2-4,83m
Mô tả sản phẩm


Thyristor bất đối xứng

YZPST-A1237NC280

Công ty 25V không đối xứng Thyristor đã thông qua chứng nhận hệ thống chất lượng ISO 9001 và chất lượng được đảm bảo. Phù hợp với nhu cầu của bạn về SCR.

Chặn - Tắt bang

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V RRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại

V DRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại

V RSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại

Ghi chú:

Tất cả các xếp hạng được chỉ định cho Tj = 25 o C trừ khi

nói cách khác.

(1) Tất cả các xếp hạng điện áp được chỉ định cho một ứng dụng

Dạng sóng hình sin 50Hz / 60zHz trên

phạm vi nhiệt độ -40 đến +125 o C.

(2) 10 phút tối đa độ rộng xung

(3) Giá trị tối đa cho Tj = 125 o C.

(4) Giá trị tối thiểu cho tuyến tính và hàm mũ

waveshape đến 80% đánh giá V DRM . Cổng mở.

Tj = 125 o C.

(5) Giá trị không lặp lại.

(6) Giá trị của di / dt được thiết lập theo

với RS-397 tiêu chuẩn EIA / NIMA, Phần

5-2-2-6. Giá trị được xác định sẽ là addi-

Tion để có được từ một mạch snubber,

bao gồm một tụ điện 0,2 mF và 20 ohms

kháng song song với thristor dưới

kiểm tra.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Tiến hành - về nhà nước

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

Năng động

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi