Tập hợp mô-đun SCR chống song song 1000A-KPX1000A-1600V
$2951-19 Piece/Pieces
$262≥20Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
$2951-19 Piece/Pieces
$262≥20Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Mẫu số: YZPST-KPX1000A-1600V
Thương hiệu: Yzpst
Nguồn Gốc: Trung Quốc
VRRM: 1600V
VDRM: 1600V
VRSM: 1700V
DV/dt: 1000 V/sec
IT(AV): 1000A
ITRMSM: 1570A
Lắp ráp mô-đun SCR chống song song-KPX1000A-1600V
Đặc trưng:
Tất cả thiết kế khuếch tán
Khả năng hiện tại cao
khả năng hiện tại tăng cao
Điện áp tốc độ cao
cao d v /dt
cổng hiện tại cổng thấp
Trở kháng nhiệt thấp
Kích thước nhỏ gọn và trọng lượng nhỏ
ĐĂNG KÍ
Ổ đĩa công suất cao
Điều khiển động cơ DC
Nguồn cung cấp điện áp cao
Chặn - Tắt trạng thái
VRRM (1) | VDRM (1) | VRSM (1) |
1600 | 1600 | 1700 |
VRRM = Điện áp ngược cực đại lặp đi lặp lại
VDRM = Đỉnh điện áp trạng thái lặp đi lặp lại
VRSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
10 mA 100 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Tiến hành - về trạng thái
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=95oC |
RConducting - on state MS value of on-state current |
ITRMSM |
|
1570 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
30 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
4500x103 |
|
A2s |
10 msec |
Treshold voltage |
VT(T0) |
|
0.928 |
|
V |
|
Slope resistance |
rT |
|
0.189 |
|
mΩ |
|
Latching current |
IL |
|
2000 |
|
mA |
VD = 12 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
500 |
|
mA |
VD = 12 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.75 |
|
V |
ITM =3000 A(MAX); Tj =1 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.