YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> Bộ chỉnh lưu điều khiển silicon (SCR)> Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR
Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR

Tốc độ DV/DT cao đến 92 0.8a SCR

$39200-1999 Others

$32≥2000Others

Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Land,Express,Others
Hải cảng:SHANGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-BT169 10-30UA

Thương hiệuYzpst

Nguồn GốcTrung Quốc

LT(RMS)0.8A

VTM<1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

LTSM10A

L2t0.5A2s

Dl/dt50A/μs

Đóng gói và giao hàng
Đơn vị bán hàng : 1000 pieces
Loại gói hàng : 1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Tải về :
SCR BT169 10-30UA TO92CU
Mô tả sản phẩm

YZPST-BT169 SCR


SỰ MIÊU TẢ:

Sê -ri BT 1 6 9 9 cung cấp tốc độ DV/DT cao

với sức đề kháng mạnh đối với giao diện điện từ.

Chúng đặc biệt được khuyến nghị sử dụng cho bộ ngắt mạch dòng còn lại, tóc thẳng, đánh lửa, v.v.

YZPST-BT169 10-30UA TO-92


CHỦ YẾU ĐẶC TRƯNG:

symboI

vaIue

unit

lT(RMS)

0.8

A

VDRM/VRRM

400/600/800

V

VTM

<1.5

V

Tuyệt đối Tối đa Xếp hạng:

Parameter

SymboI

vaIue

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

400/600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

400/600/800

V

RMS on-state current (Tc=80)

lT(RMS)

0.8

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

lTSM

10

A

l2t value for fusing (tp=10ms)

l2t

0.5

A2s

critical rate of rise of on-state current (lG=2xlGT)

dl/dt

50

A/μs

Peak gate current

lGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỪ (TJ = 25k trừ khi có quy định khác)

SymboI vaIue
Test Condition MlN TYPE MAX unit
lGT - 20 200 μA
VGT VD=12V, RL=33Ω - 0.5 1 V
VD=VDRM Tj=110K
VGD RL=3.3KΩ 0.2 - - V
lH lT=50mA - - 2 mA
lL lG=1.2lGT - - 3 mA
VD=0.66XVDRM   Tj=110K
dV/dt G  RGK=1KΩ 20 - - V/μs

Đặc điểm tĩnh

SymboI Test Condition vaIue unit
VTM lTM=2A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
lDRM VDRM= VRRM Tj=25 5 μA
lRRM RGK=1KΩ Tj=110 MAX 100 μA

BƯU KIỆN CƠ KHÍ DỮ LIỆU

YZPST-BT169 TO-92


苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi