YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> Bộ chỉnh lưu điều khiển silicon (SCR)> Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC
Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC

Tốc độ DV/DT cao đến-126 2P6M 2A SEC

$4550-999 Others

$39≥1000Others

Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Land,Air
Hải cảng:SHNAGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-2P6M 10-30UA

Thương hiệuYzpst

Nguồn GốcTrung Quốc

IT(RMS)20A, 2A

IGT≤200μA

VDRM600V

VRRM600V

ITSM20A

I2t2A2s

DI/dt50dI/dt

Đóng gói và giao hàng
Đơn vị bán hàng : 1000 pieces
Loại gói hàng : 1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Tải về :
SCR 2P6M 10-30UA TO126CU
Mô tả sản phẩm

2p6m 2 a Nhạy cảm Scrs


SỰ MIÊU TẢ:

Sê -ri SCR 2P6M 2A cung cấp tốc độ DV/DT cao

với sức đề kháng mạnh đối với giao diện điện từ.

Chúng đặc biệt được khuyến nghị sử dụng cho bộ ngắt mạch dòng còn lại, tóc thẳng, đánh lửa, v.v.

YZPST-2P6M TO-126

CHỦ YẾU ĐẶC TRƯNG:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

Tuyệt đối Tối đa Xếp hạng:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỪ (TJ = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)

Symbol Value
Test Condition MIN TYPE MAX Unit
IGT VD=12V, RL=33Ω - 50 200 μA
VGT - 0.6 0.8 V
VGD VD=VDRM Tj=110 0.2 - - V
IH IT=50mA - - 5 mA
IL IG=1.2IGT - - 6 mA
dV/dt VD=2/3×VDRM   Tj=110 RGK=1KΩ 20 - - V/ µs

Nhiệt Điện trở

Symbol Test Condition Value Unit
TO-251-4R/TO-252-4R 6.5
TO-92 10
TO-126 7
junction to case(AC) SOT-89-3L 8.3 /W
Rth(j-c) SOT-223-3L 7.3

BƯU KIỆN CƠ KHÍ DỮ LIỆU

YZPST-2P6M 10-30UA

苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi