Gói gắn trên bề mặt 100-8 1A SCRS
$0.0261000-9999 Piece/Pieces
$0.019≥10000Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
$0.0261000-9999 Piece/Pieces
$0.019≥10000Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-100-8
Thương hiệu: Yzpst
ứng Dụng: Không áp dụng
Loại Cung Cấp: Nhà sản xuất ban đầu, ODM, Đại lý, Nhà bán lẻ
Những Tài Liệu Tham Khảo: bảng dữliệu, ảnh, Mô hình EDA / CAD
Loại Gói: Bề mặt gắn kết
Phương Pháp Cài đặt: Không áp dụng
Hàm FET: Không áp dụng
Cấu Hình: Không áp dụng
Tstg: -40 ~150°C
Tj: -40 ~125°C
VDRM: 900V
VRRM: 900V
IT(RMS): 1.0A
ITSM: 12A
I2t: 0.72A2S
Đơn vị bán hàng | : | Piece/Pieces |
Loại gói hàng | : | Để biết thêm thông tin sản phẩm và thông tin giao dịch, vui lòng liên hệ với địa chỉ email của chúng tôi: info@yzpst.com |
Tải về | : |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
|||
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40 ~ 150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~ 125 |
℃ |
repetitive surge peak Off-state voltage |
VDRM |
900 |
V |
repetitive peak reverse voltage |
VRRM |
900 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
1.0 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current ( 180° conduction angle, F=50Hz,t=10ms/60Hz,8 3ms) |
ITSM |
12 |
A |
I2t value for fusing (tp= 10ms) |
I2t |
0.72 |
A2S |
Critical rate of rise of on-state current (I =2×IGT, tr ≤ 100 ns) |
di/dt |
50 |
A/μS |
Peak gate current |
IGM |
0.5 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
0.1 |
W |
Maximum device temperature for solderingPurposes (for 10 seconds maximum) |
TL |
260 |
℃ |
ESD level |
HBM |
Class 3 (4000-16000V) |
|
Humidity sensitive level |
MSL |
Three-level (30℃,60%RH,168h) |
|
Thermal Resistances | ||||
Symbol | Parameter | Value | Unit | |
TO-92 | 70 | |||
Rth(j-c) | Junction to tab (DC) | SOT-223 | 25 | ℃/W |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified) | |||||
Symbol | Test Condition | Value | Unit | ||
MlV | TYP | MAX | |||
IGT | V = 12V R = 140Ω | 20 | 40 | 120 | 4A |
VGT | - | - | 1 0 | V | |
VGD | VD=VDRM Tj=125℃ R= 1KΩ | 0.2 | - | - | V |
IL | IG= 1.2IGT | - | - | 6 | mA |
IH | IT=50mA | - | - | 5 | mA |
dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 50 | - | - | V/ μs |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.