Máy hàn điện tử Dương Châu
Nhận giá mới nhấtHình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Mẫu số: YZPST-R355SH12FLO
Thương hiệu: DUY NHẤT
Công tắc nhanh công suất cao của Thyristor
YZPST-R355SH12FLO
THYRISTOR ĐIỆN CAO CHO ỨNG DỤNG KIỂM SOÁT GIAI ĐOẠN
Các tính năng : . Đảm bảo thời gian tắt tối đa . Cấu hình cổng khuếch đại kỹ thuật số . Tất cả cấu trúc khuếch tán . Khả năng dV / dt cao . Thiết bị lắp ráp áp lực
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN VÀ T R LỆ
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
VRRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại
VDRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại
VRSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 150mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Ghi chú:
Tất cả các xếp hạng được chỉ định cho Tj = 25 oC trừ khi có quy định khác.
(1) Tất cả các xếp hạng điện áp được chỉ định cho dạng sóng hình sin 50Hz / 60zHz được áp dụng trong phạm vi nhiệt độ -40 đến +125 oC.
(2) 10 phút tối đa độ rộng xung
(3) Giá trị tối đa cho Tj = 125 oC.
(4) Giá trị tối thiểu cho sóng tuyến tính và hàm mũ đến 80% VDRM được xếp hạng. Cổng mở. Tj = 125 oC.
(5) Giá trị không lặp lại.
(6) Giá trị của di / dt được thiết lập theo Tiêu chuẩn RS-397 của EIA / NIMA, Mục 5-2-2-6. Giá trị được xác định sẽ cộng với giá trị thu được từ mạch ubber, bao gồm tụ 0,2 F và 20 ohmsresistance song song với thristor được thử nghiệm.
Tiến hành - về nhà nước
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
1271 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
2599 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
18.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.62x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.02 |
|
V |
ITM = 2000 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Năng động
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
15 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
25 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Gắn bề mặt nhẵn, phẳng và bôi trơn
Lưu ý: đối với phác thảo trường hợp và kích thước, xem bản vẽ phác thảo trường hợp trong trang 3 của Dữ liệu kỹ thuật này
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.