Công suất trở kháng nhiệt thấp thyristor Biến tần 165A

Công suất trở kháng nhiệt thấp thyristor Biến tần 165A

$1.8≥1000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Đặt hàng tối thiểu:	1000 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	Shanghai

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-KK165-600

Thương hiệu: YZPST

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ
Tải về	:

Mô tả sản phẩm

Biến tần điện thyristor

YZPST-KK165-600

Biến tần lớp thyristors Phiên bản T y pe: KK165-1000 TOP3

Tính năng, đặc điểm • Tuân theo chuẩn RoHS • Tất cả các thiết kế khuếch tán • Chip Glass-thụ động • Đảm bảo cao dV / dt • Đảm bảo dI cao / d t • năng lực hiện tại Highsurge • Thấp nhiệt trở kháng • hiệu suất tốc độ cao, t q là ít hơn 50μSec • bằng điện-isolatedpackage • điện áp cao khả năng - 200 V đến 1000 V

Các ứng dụng điển hình • Bộ biến tần • Máy băm • Gia nhiệt cảm ứng • Tất cả các loại bộ chuyển đổi giao hoán lực

Low Thermal Impedance Power Thyristor Inverter 165A

NHỮNG ĐẶC ĐIỂM CHÍNH

Symbol	Value	Unit
IT	165	A
VDRM/RRM	600 / 800 / 1000	V
VTM	1.5	V

TUYỆT VỜI TỐI ĐA

Parameter		Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range		Tstg	- 40 to +150	℃
Operrating junction temperature range		Tj	- 40 to +125	℃
Repetitive Peak Off-state Voltage	Tj=25°C	VDRM	600 / 800 /1000	V
Repetitive Peak Reverse Voltage	Tj=25°C	VRRM	600 / 800 /1000	V
Non repetitive Surge Peak Off-state Voltage	tp=10ms,Tj=25°C	VDSM	VDRM+100	V
Non repetitive Peak Reverse Voltage	tp=10ms,Tj=25°C	VRSM	VRRM+100	V
RMS on-state current (full sine wave)	TO - P3 Tc=80°C	IT	165	A