YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> BI Chỉ đường Thyristor (Triac)> Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC

Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC

$0.22000-19999 Piece/Pieces

$0.16≥20000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Land,Express,Others
Hải cảng:SHANGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-BTB24-1200WRG

Thương hiệuYzpst

Nguồn GốcTrung Quốc

IT(RMS)25A

VDRM1200V

VRRM1200V

VTM≤1.5A

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM250A

I2t340A2s

Đóng gói và giao hàng
Đơn vị bán hàng : Piece/Pieces
Loại gói hàng : 1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Tải về :
Triac BTB24-1200WRG TO-263
Mô tả sản phẩm

BTA24/BTB24 Series 25A Triacs

YZPST-BTB24-1200WRG

SỰ MIÊU TẢ:
Với khả năng cao để chịu được tải trọng sốc của dòng điện lớn, BTA24/BTB24 Series Triacs cung cấp tốc độ DV/DT cao với điện trở mạnh đối với giao diện điện từ.

Với hiệu suất giao hoán cao, 3 sản phẩm Quadrant đặc biệt được khuyến nghị sử dụng cho tải cảm ứng. Từ cả ba thiết bị đầu cuối đến tản nhiệt bên ngoài, BTA24 cung cấp điện áp cách nhiệt định mức 2500 VRM tuân thủ các tiêu chuẩn UL

YZPST-BTA24-800BW


CHỦ YẾU ĐẶC TRƯNG:

symbol

value

unit

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

600/800/1200/1600

V

VTM

≤1.5

V

Tuyệt đối Tối đa Xếp hạng:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800/1200/1600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800/1200/1600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

340

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

10

W

Đặc điểm điện (TJ = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)

3 góc phần tư

Parameter Value
Test Condition Quadrant CW BW Unit
IGT VD=12V, 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 80 mA
- 70 90
IL IG=1.2IGT MAX 80 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 1000 1500 V/ µs


4 góc phần tư

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 75 mA
--  70 80
IL IG=1.2IGT MAX 90 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 200 500 V/ µs

Nhiệt Điện trở

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220A(Ins 1.5
TO-220F(Ins 1.6
TO-263 2.1 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-3P 0.68

BƯU KIỆN CƠ KHÍ DỮ LIỆU

TO-263


Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> BI Chỉ đường Thyristor (Triac)> Khả năng cao 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi