YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> BI Chỉ đường Thyristor (Triac)> Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC

Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC

$0.095000-49999 Piece/Pieces

$0.07≥50000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Land,Express,Others
Hải cảng:SHANGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-BTB06-600B

Thương hiệuYzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)6A

VDRM600V

VRRM600V

VTM≤1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM60A

Đóng gói và giao hàng
Đơn vị bán hàng : Piece/Pieces
Loại gói hàng : 1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Mô tả sản phẩm

BTA06/BTB06 Series 6A Triacs

YZPST-BTB06-600B

Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC

SỰ MIÊU TẢ:
Với khả năng cao để chịu được tải trọng sốc của dòng điện lớn, BTA06/BTB06 Triacs cung cấp tốc độ DV/DT cao với khả năng chống lại giao diện điện từ mạnh.
Với hiệu suất giao hoán cao, 3 sản phẩm Quadrant đặc biệt được khuyến nghị sử dụng cho tải cảm ứng. Từ cả ba thiết bị đầu cuối đến tản nhiệt bên ngoài, BTA06 cung cấp điện áp cách nhiệt định mức 2500 VRM tuân thủ các tiêu chuẩn UL

TO-220


CHỦ YẾU ĐẶC TRƯNG:

symbol

value

unit

IT(RMS)

6

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.5

V

Tuyệt đối Tối đa Xếp hạng:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800

V

RMS on-state current

IT(RMS)

6

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

60

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

18

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

Đặc điểm điện (TJ = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)

3 góc phần tư

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 6 10 35 60 mA
- 10 15 50 70
IL IG=1.2IGT MAX 15 25 60 80 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 50 100 500 1000 V/ µs

4 góc phần tư

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 mA
IL IG=1.2IGT --  MAX 50 70 mA


Nhiệt Điện trở

Symbol Test Condition Value Unit
TO-251-4R/ TO-252-4R 2.8
TO-220A(Ins 3.4
TO-220B(Non-Ins 2.2 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-220F(Ins 3.2

BƯU KIỆN CƠ KHÍ DỮ LIỆU

TO-220A
Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> BI Chỉ đường Thyristor (Triac)> Khả năng cao 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC
苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi