DV/DT cao BTA208-800D 800V 8A TO-220 TRIAC

DV/DT cao BTA208-800D 800V 8A TO-220 TRIAC

$0.115000-19999 Piece/Pieces

$0.09≥20000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Land,Express,Others
Hải cảng:	SHANGHAI

Option:

ITSM t= 16.7ms;71A
IGT:≤10mA

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Other information

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-BTA208-800D

Thương hiệu: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 8A

VDRM/VRRM: 600/800V

IGT: ≤10mA

ITSM T=20ms: 65A

ITSM T= 16.7ms: 71A

I2t: 21A2S

Di/dt: 100A/μs

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện trường 2. hộp carton 3. bím tóc
Tải về	:

Mô tả sản phẩm

BTA208 Triacs

YZPST-BTA208-800D

Desrcrip:
Do sự thụ động của kính tách, các thiết bị này có
Hiệu suất tại DV/DT và độ tin cậy. Sê -ri Triac phù hợp cho việc chuyển đổi AC có mục đích chung. Chúng có thể được sử dụng như một sự cố
Chức năng trong các ứng dụng như rơle tĩnh, điều hòa sưởi ấm hoặc cho hoạt động điều khiển pha trong bộ điều chỉnh ánh sáng, tốc độ động cơ
bộ điều khiển.

TO-220

NHỮNG ĐẶC ĐIỂM CHÍNH

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	8	A
VDRM/VRRM	600/800	V
IGT	≤10	mA

Xếp hạng tuyệt đối của mẹ tôi

Symbol	PARAMETER		Value	Unit
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	TO-220.Non-Ins TC≤102℃	8	A
	Non repetitive surge peak on-state current	t=20ms	65
ITSM	(full sine wave, Tj=25℃)	t= 16.7ms	71	A
I2t	I2t Value for fusing	t= 10ms	21	A2S
di/dt	Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering	ITM = 12 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us	100	A/μs
IGM	Peak gate current	—	2	A
VGM	Peak gate voltage	—	5	W
PGM	Peak gate power	—	5	W
PG(AV)	Average gate power	over any 20 ms period	0.5	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 to +150		℃
Tj	Operating junction temperature range	125		℃

Đặc điểm điện (TJ = 25。C, trừ khi có quy định khác)

Đặc điểm tĩnh

Symbol				Value
Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	MIN	TYPE	MAX	Unit
IGT	Gate trigger current	VD= 12V, IT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	10	mA
		VD= 12V, IT=0. 1A		-	0.7	1.5
VGT	Gate trigger voltage	VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C		0.25	0.4	-	V
VT	On-state voltage	IT= 10A		-	1.3	1.65	V
IH	Holding current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	60	mA
			Ⅰ-Ⅲ	-	-	60	mA
IL	Latching current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅱ	-	-	90	mA
ID	Off-state leakage current	VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C		-	0.1	0.5	mA

Đặc điểm động

Symbol			Value
	Parameter	Test Condition	MIN	TYPE	Unit
dVD/dt	Critical rate of rise of off- state voltage	VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C	1000	4000	V/us
		exponential waveform; gate open circuit
dIcom/dt	Critical rate of change of commutating current	VDM = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS) = 8 A; without snubber; gate open circuit		14	A/ms
T	Gate controlled turn-on time	ITM = 12 A; VD = VDRM(max) ; IG = 0. 1 A; dIG/dt = 5 A/µs		2	us
tgt