Sê-ri BT151 SCRS phù hợp để phù hợp với tất cả các chế độ điều khiển T0-220F

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

12

A

VDRM VRRM

650

V

IGT

15

mA

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40 ~ 150

℃

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

℃

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

650

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

650

V

RMS on-state current (T = 105℃)

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current

( 180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

100

A

Average on-state current ( 180° conduction angle)

IT(AV)

8

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

45

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2 ×IGT, tr  ≤   100 ns)

di/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Symbol

Test Condition

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

15

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R= 1KΩ

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

50

mA

IH

IT=50mA

MAX.

30

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open    Tj=125℃

MIN.

400

V/μs