Chế độ nâng cao kênh N

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	SHANGHAI

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-STW20NM60

Thương hiệu: Yzpst

Nguồn Gốc: Trung Quốc

VDSS: 600V

IDM: 78A

VGS: ±30A

EAS: 1284mJ

EAR: 97mJ

TSTG,TJ: -55~+150℃

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống điện tử 2. hộp carton 3. Bao bì bảo vệ nhựa
Tải về	:

Mô tả sản phẩm

Pro misin g Chi P YZPST-STW20NM60

Chế độ nâng cao kênh N MOSFET

Đặc trưng

l Rugge cao Dess

l lo w r ds (on) (đánh máy 0,22) @V GS = 10V

l low ga te cha rge (typ 84nc)

l Cải thiện d DV/DT CA PA tính sinh sản

l 100% Ava LA nche Te S Te d

l Ứng dụng LICA tion: up Thì Sạc pin, máy tính Quyền lực , Biến tần

Chung Sự mô tả

Mosfet sức mạnh này được sản xuất với công nghệ tiên tiến về hứa hẹn Chip.

Đây Công nghệ cho phép các sức mạnh MOSFET đến có tốt hơn đặc điểm, bao gồm Nhanh chuyển đổi thời gian, Thấp trên Kháng chiến, điện tích cổng thấp và đặc biệt xuất sắc đặc điểm.

Giá trị tuyệt đối lớn nhất Xếp hạng

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDSS	Drain to source voltage	600	V
ID	Continous drain current(@Tc=25℃)	20*	A
ID	Continous drain current(@Tc=100℃)	12*	A
IDM	Drain current pulsed	78	A
VGS	Gate to source voltage	±30	V
EAS	Single pulsed avalanche energy	1284	mJ
EAR	Repetitive pulsed avalanche energy	97	mJ
dv/dt	Peak diode recovery dv/dt	5	V/ns
PD	Total power dissipation(@Tc=25℃)	42.3	W
PD	Derating factor above 25℃	0.32	W/℃
TSTG,TJ	Operating junction temperature & storage temperature	-55~+150	℃
TL	Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second	300	℃