Điốt phục hồi tiêu chuẩn bu lông 1200V

Name: Điốt phục hồi tiêu chuẩn bu lông 1200V
Uploaded: 2019-03-19T18:05:27+08:00
Description: Diode phục hồi tiêu chuẩn YZPST-SKN (R) 130 Diode phục hồi tiêu chuẩn dựa trên một rào cản

$81-99 Piece/Pieces

$6.3≥100Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Đặt hàng tối thiểu:	1 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	SHANGHAI

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-SKN(R)130-120

Thương hiệu: YZPST

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ

Mô tả sản phẩm

Diode phục hồi tiêu chuẩn

YZPST-SKN (R) 130

Diode phục hồi tiêu chuẩn dựa trên một rào cản được hình thành bởi sự tiếp xúc giữa kim loại và chất bán dẫn,

Diode phục hồi tiêu chuẩn còn được gọi là diode bán dẫn kim loại vì kim loại tiếp xúc với chất bán dẫn loại n hoặc loại p để tạo thành một ống cực đơn có độ dẫn đơn hướng.

Chuyển tiếp dẫn

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Repetitive peak reverse voltage	V_RRM		1600	-	V
Non repetitive peak reverse voltage	V_RSM		1700	-	V
Max. average forward current	I_F_(AV)		165	-	A	Sinewave,180^o conduction,T_c=100^oC
Max. RMS forward current	I_F(_RMS₎		260	-	A	Nominal value; T_c=100^oC
Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current	I_F_SM		2500	-	A	10.0 msec (50Hz), half sinewave, T_j = 25 ^oC, V_RM = 0.6V_RRM
Maximum I²t for fusing	I²t		31000	-	A²s
Max. forward voltage drop	V_F		1.5		V	I_F = 500A; T_c=25^oC
Threshold voltage	V_F0		0.85		V	T_j=180°C
slope resistance	r_T		1.3		mΩ	T_j=180°C

Tính năng ■ Khả năng mang dòng cao ■ Xếp hạng điện áp cao lên đến 2000V ■ Khả năng tăng dòng cao ■ Phiên bản cực âm stud và cực dương stud

Các ứng dụng điển hình: ■ Bộ chuyển đổi ■ Ổ đĩa công suất cao ■ Nguồn điện ■ Điều khiển công cụ máy ■ Ứng dụng lực kéo trung bình ■ Nguồn điện

Thông số kỹ thuật nhiệt và cơ

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+180		^oC
Storage temperature	T_stg	-50	+180		^oC
Reverse recovery charge	Q_r_r			-	μc
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -	0.35	K/W
Thermal resistamce - case to heatsink	R_Q_(c-s)		- -	0.08	K/W
Mounting force	P			10	Nm	± 20%
Weight	W	-	-	-	g
Case style				-		See Outline Table