Silicon PNP Darlington Power Transitor
$0.72100-499 Piece/Pieces
$0.55≥500Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
$0.72100-499 Piece/Pieces
$0.55≥500Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-FW26025A
Thương hiệu: Yzpst
Type: Intrinsic Semiconductor
Application: Radio
Batch Number: 2010+
VCBO: -100V
VCEO: -100V
VEBO: -5V
IC: -20A
Icm: -40A
IB: -0.5A
PC: 160W
TJ: 200℃
Tstg: -65~200℃
Đơn vị bán hàng | : | Piece/Pieces |
Loại gói hàng | : | 1. Bao bì chống điện tử 2. hộp carton 3. Bao bì bảo vệ nhựa |
Tải về | : |
Silicon PNP Darlington Power Transitor
YZPST-FW26025A
Silicon PNP Darlington Power Transitor
SỰ MÔ TẢ
· Tăng hiện tại DC cao-
: hfe = 5000 (phút)@ ic = -2a
· Bộ sưu tập điện áp duy trì bộ sưu tập-
: VCEO (SUS) = -100V (phút)
· Biến thể rất nhiều đến LOT cho hiệu suất thiết bị mạnh mẽ và hoạt động đáng tin cậy.
CÁC ỨNG DỤNG
· Được thiết kế cho thiết bị công nghiệp tuyến tính và chuyển mạch
Xếp hạng tối đa tuyệt đối (TA = 25)
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
VCBO |
Collector-Base Voltage |
-100 |
V |
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
-100 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
IC |
Collector Current-Continuous |
-20 |
A |
ICM |
Collector Current-Peak |
-40 |
A |
IB |
Base Current- Continuous |
-0.5 |
A |
PC |
Collector Power Dissipation @TC=25℃ |
160 |
W |
Tj |
Junction Temperature |
200 |
℃ |
Tstg |
Storage Temperature Range |
-65~200 |
℃ |
Đặc điểm nhiệt
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
Rth j-c |
Thermal Resistance, Junction to Case |
1.09 |
℃/W |
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỪ
Tc = 25 ℃ trừ khi có quy định khác
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
TYP. |
MAX |
UNIT |
VCEO(SUS)* |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= -100mA, IB= 0 |
-100 |
|
|
V |
VCE(sat)-1* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -10A ,IB= -40mA |
|
|
-2.0 |
V |
VCE(sat)-2* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-3.0 |
V |
VBE(sat)* |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-4 |
V |
V BE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -10A ; VCE= -3V |
|
|
-2.8 |
V |
ICEO |
Collector Cutoff current |
VCE= -50V, IB= 0 |
|
|
-1 |
mA |
ICEV |
Collector Cutoff current(VBE=-1.5V) |
VCE= -100V, IB= 0 |
|
|
-0.5 |
mA |
VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃ |
-5 |
|||||
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
|
|
-2 |
mA |
hFE-1* |
DC Current Gain |
IC= -2A ; VCE= -3V |
5000 |
|
|
|
hFE-2* |
DC Current Gain |
IC= -10A ; VCE= -3V |
750 |
|
18000 |
|
hFE-3* |
DC Current Gain |
IC= -30A ; VCE= -3V |
200 |
|
|
|
*: Kiểm tra xung: Chiều rộng xung = 300us, chu kỳ nhiệm vụ2%
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.