Bật lửa điện tử 30V Mosfet 80N03
$0.23≥1000Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Đặt hàng tối thiểu: | 1000 Piece/Pieces |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
$0.23≥1000Piece/Pieces
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Đặt hàng tối thiểu: | 1000 Piece/Pieces |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-80N03
Thương hiệu: YZPST
Đơn vị bán hàng | : | Piece/Pieces |
Loại gói hàng | : | 1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ |
Bật lửa điện tử Mosfet
YZPST-80N03
VDSS 30V RDS(ON) 4mΩ(max.)@ VGS=10V RDS(ON) 6mΩ(max.)@ VGS=4.5V ID 100A |
|
Description |
DFN5X6-8L |
YZPST 80N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. |
|
Applications |
Features |
■ Lithium-Ion Secondary Batteries ■ Load Switch ■ DC-DC converters and Off-line UPS |
■ Low On-Resistance ■ Low Input Capacitance ■ Low Miller Charge ■ Low Input / Output Leakage |
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted) |
|||
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Drain-Source Voltage |
VDSS |
30V |
V |
Gate-Source Voltage |
VGSS |
±20V |
V |
Drain Current-Continuous @ TC=25℃ NOTE1, 6 |
ID |
100 |
A |
Drain Current-Continuous @ TC=100℃ NOTE1, 6 |
80 |
A |
|
Drain Current-Continuous @ TA=25℃ NOTE1 |
ID |
20 |
A |
Drain Current-Continuous @ TA=100℃ NOTE1 |
15 |
A |
|
Drain Current-Pulsed NOTE 2 |
IDM |
216 |
A |
Avalanche Current |
IAS |
53.8 |
A |
Avalanche Energy NOTE 3 |
EAS |
144.7 |
mJ |
Maximum Power Dissipation @ TC=25℃ NOTE4 |
PD |
69 |
W |
Maximum Power Dissipation @ TA=25℃ NOTE4 |
2 |
W |
|
Storage Temperature Range |
TSTG |
-55 to 150°C |
°C |
Operating Junction Temperature Range |
TJ |
-55 to 150°C |
°C |
Thermal Resistance Ratings |
||||||
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
Maximum Junction-to-Ambient NOTE1 |
RθJA |
Steady State |
- |
- |
62 |
°C/W |
Maximum Junction-to-Case NOTE1 |
RθJC |
Steady State |
- |
- |
1.8 |
°C/W |
Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted) |
||||||
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
OFF CHARACTERISTICS |
||||||
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V , IDS=250uA |
30 |
- |
- |
V |
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=24V, VGS=0V |
- |
- |
1 |
uA |
Gate-Source Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V , VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
ON CHARACTERISTICS |
||||||
Gate Threshold Voltage |
VGS(TH) |
VGS=VDS, IDS=250uA |
1.2 |
- |
2.5 |
V |
Drain-Source On-Resistance NOTE2 |
RDS(ON) |
VGS=10V , IDS=30A |
- |
- |
4 |
mΩ |
VGS=4.5V , IDS=20A |
- |
- |
6 |
mΩ |
||
Forward Transconductance |
gfs |
VDS=5V , ID=30A |
- |
26.5 |
- |
S |
Gate Resistance |
Rg |
VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz |
- |
1.4 |
- |
Ω |
DYNAMIC CHARACTERISTICS |
||||||
Input Capacitance |
Ciss |
VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
- |
3080 |
- |
pF |
Output Capacitance |
Coss |
- |
410 |
- |
||
Reverse Transfer Capacitance |
Crss |
- |
316 |
- |
||
SWITCHING CHARACTERISTICS |
||||||
Turn-On Delay Time |
Td(on) |
VDS=15V, VGS=10V, ID=15A , RGEM=3.3Ω |
- |
9.6 |
- |
ns |
Rise Time |
tr |
- |
20.8 |
- |
||
Turn-Off Delay Time |
Td(off) |
- |
58 |
- |
||
Fall Time |
tf |
- |
16 |
- |
||
Total Gate Charge at 4.5V |
Qg |
VDS=15V, IDS=15A, VGS=4.5V |
- |
32 |
- |
nC |
Gate to Source Gate Charge |
Qgs |
- |
9.1 |
- |
||
Gate to Drain "Miller" Charge |
Qgd |
- |
12.2 |
- |
||
SWITCHING CHARACTERISTICS |
||||||
Drain-Source Diode Forward Voltage 2 |
VSD |
VGS=0V, IS=1A |
- |
- |
1.0 |
V |
Continuous Source Current NOTE1, 5 |
IS |
VG=VD=0V , Force Current |
- |
- |
100 |
A |
Pulsed Source Current NOTE2,5 |
ISM |
- |
- |
216 |
A |
Ghi chú:
1. Dữ liệu được kiểm tra bằng bề mặt được gắn trên bảng 1 inch2 FR-4 bằng đồng 2OZ.
2. Dữ liệu được kiểm tra bằng xung, độ rộng xung ≦ 300us, chu kỳ nhiệm vụ ≦ 2%
3. Dữ liệu EAS hiển thị Max. Xêp hạng. Điều kiện thử nghiệm là VDĐ = 25V, VGS = 10V, L = 0,1mH, IAS = 53,8A
4. Công suất tiêu tán bị giới hạn bởi nhiệt độ tiếp giáp 175oC
5. Dữ liệu về mặt lý thuyết giống như ID và IDM, trong các ứng dụng thực tế, nên được giới hạn bởi tổng công suất tiêu tán.
6. Dòng giới hạn gói là 85A.wer tản.
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.