YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> Transitor silicon> Điện MOSFET smd 110v STC2326
Điện MOSFET smd 110v STC2326
Điện MOSFET smd 110v STC2326
Điện MOSFET smd 110v STC2326
Điện MOSFET smd 110v STC2326

Điện MOSFET smd 110v STC2326

Nhận giá mới nhất
Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Air
Hải cảng:SHANGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-STC2326

Thương hiệuYZPST

Mô tả sản phẩm

B TA30 Series Triacs

YZPST-STC2326

SỰ MIÊU TẢ


STC2326 là transistor hiệu ứng trường công suất tăng cường hiệu ứng trường N-Channel được sản xuất bằng cách sử dụng công nghệ rãnh DMOS mật độ siêu cao. STC2326 được thiết kế đặc biệt để cải thiện hiệu suất tổng thể của bộ chuyển đổi DC / DC bằng cách sử dụng bộ điều khiển PWM chuyển đổi đồng bộ hoặc thông thường. Nó đã được tối ưu hóa cho phí cổng thấp, RDS (ON) thấp và tốc độ chuyển đổi nhanh.

CÁC ỨNG DỤNG


Hệ thống được hỗ trợ

Bộ chuyển đổi DC / DC

Công tắc tải


TÍNH NĂNG, ĐẶC ĐIỂM

110 V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

Thiết kế ô mật độ cao cho RDS cực thấp (ON)

Khả năng hiện tại vượt trội và kháng DC tối đa

Thiết kế gói SOT-23-6L


PIN CẤU HÌNH (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

O RDER ING TRÊN F O R M T I O N

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

A B SOU L T E MA X Tôi M U M R A T TRONG G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s o t h e r w i s đ n o t e d )

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


Nhà> Sản phẩm> Gói nhựa bán dẫn> Transitor silicon> Điện MOSFET smd 110v STC2326
苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi