Điều khiển pha bán dẫn 25TTS12 1200V

$0.252000-99999 Piece/Pieces

$0.22≥100000Piece/Pieces

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Đặt hàng tối thiểu:	2000 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	SHANGHAI

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Đóng gói và giao hàng

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-25TTS12-1

Thương hiệu: YZPST

Đóng gói và giao hàng

Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ

Mô tả sản phẩm

Điều khiển pha SCR, 25 A

MÔ TẢ / TÍNH NĂNG

25TTS ... Bộ chỉnh lưu điều khiển bằng silicon có điện áp cao được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng điều khiển pha và chuyển mạch công suất trung bình. Công nghệ thụ động thủy tinh được sử dụng có hoạt động đáng tin cậy lên đến

Nhiệt độ tiếp giáp 125 ° C.

Các ứng dụng điển hình là trong chỉnh lưu đầu vào (khởi động mềm) và các sản phẩm này được thiết kế để sử dụng với điốt, công tắc và bộ chỉnh lưu đầu vào Vishay có sẵn trong các phác thảo gói giống hệt nhau.

Sản phẩm này đã được thiết kế và đủ điều kiện cho trình độ công nghiệp.

PRODUCT SUMMARY
VT at 16 A	< 1.25 V
ITSM	300 A
VRRM	800/1200 V

OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS

APPLICATIONS

SINGLE-PHASE BRIDGE

THREE-PHASE BRIDGE

UNITS

Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C, common heatsink of 1 °C/W

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
PARAMETER	TEST CONDITIONS	VALUES	UNITS
IT(AV)	Sinusoidal waveform	16	A
IRMS		25	A
VRRM/VDRM		800/1200	V
ITSM		300	A
VT	16 A, TJ = 25 °C	1.25	V
dV/dt		500	V/µs
dI/dt		150	A/µs
TJ		- 40 to 125	°C

VOLTAGE RATINGS
PART NUMBER	VRRM, MAXIMUM PEAK REVERSE VOLTAGE V	VDRM, MAXIMUM PEAK DIRECT VOLTAGE V	IRRM/IDRM AT 125 °C mA
25TTS08	800	800	10
25TTS12	1200	1200	10

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER	SYMBOL	TEST CONDITIONS		VALUES		UNITS
				TYP.	MAX.
Maximum average on-state current	IT(AV)	TC = 93 °C, 180° conduction half sine wave		16		A
Maximum RMS on-state current	IRMS			25
Maximum peak, one-cycle, non-repetitive surge current	ITSM	10 ms sine pulse, rated VRRM applied		300
		10 ms sine pulse, no voltage reapplied		350
Maximum I2t for fusing	I2t	10 ms sine pulse, rated VRRM applied		450		A2s
		10 ms sine pulse, no voltage reapplied		630
Maximum I2√t for fusing	I2√t	t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied		6300		A2√s
Maximum on-state voltage drop	VTM	16 A, TJ = 25 °C		1.25		V
On-state slope resistance	rt	TJ = 125 °C		12.0		mΩ
Threshold voltage	VT(TO)			1.0		V
Maximum reverse and direct leakage current	IRM/IDM	TJ = 25 °C	VR = Rated VRRM/VDRM	0.5		mA
		TJ = 125 °C		10
Holding current	IH	Anode supply = 6 V, resistive load, initial IT = 1 A		-	100
Maximum latching current	IL	Anode supply = 6 V, resistive load		200
Maximum rate of rise of off-state voltage	dV/dt			500		V/µs
Maximum rate of rise of turned-on current	dI/dt			150		A/µs

TRIGGERING
PARAMETER	SYMBOL	TEST CONDITIONS	VALUES	UNITS
Maximum peak gate power	PGM		8.0	W
Maximum average gate power	PG(AV)		2.0	W
Maximum peak positive gate current	+ IGM		1.5	A
Maximum peak negative gate voltage	- VGM		10	V
Maximum required DC gate current to trigger	IGT	Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C	60	mA
		Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C	45
		Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C	20
Maximum required DC gate voltage to trigger	VGT	Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C	2.5	V
		Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C	2.0
		Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C	1.0
Maximum DC gate voltage not to trigger	VGD	TJ = 125 °C, VDRM = Rated value	0.25
Maximum DC gate current not to trigger	IGD	TJ = 125 °C, VDRM = Rated value	2.0	mA

SWITCHING
PARAMETER	SYMBOL	TEST CONDITIONS	VALUES	UNITS
Typical turn-on time	tgt	TJ = 25 °C	0.9	µs
Typical reverse recovery time	trr	TJ = 125 °C	4
Typical turn-off time	tq	TJ = 125 °C	110

THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER		SYMBOL	TEST CONDITIONS	VALUES	UNITS
Maximum junction and storage temperature range		TJ, TStg		- 40 to 125	°C
Maximum thermal resistance, junction to case		RthJC	DC operation	1.1	°C/W
Maximum thermal resistance, junction to ambient		RthJA		62
Typical thermal resistance, case to heatsink		RthCS	Mounting surface, smooth and greased	0.5
Approximate weight				2	g
				0.07	oz.
Mounting torque	minimum			6 (5)	kgf · cm (lbf · in)
	maximum			12 (10)
Marking device			Case style TO-220AB	25TTS08
				25TTS12