KK2000A2000V thyristor biến tần
Nhận giá mới nhấtHình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Mẫu số: YZPST-KK2000A2000V
Thương hiệu: YZPST
Loại gói hàng | : | 1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ |
THYRISTOR ĐIỆN CAO CẤP CHO KIỂM SOÁT
YZPST-KK2000A2000V
Tính năng, đặc điểm:
. Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Cấu hình cổng khuếch đại trung tâm
. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo
. Khả năng dV / dt cao
. Thiết bị lắp ráp áp lực
Ghi chú:
Tất cả các xếp hạng được chỉ định cho Tj = 25 oC trừ khi
nói cách khác.
(1) Tất cả các xếp hạng điện áp được chỉ định cho một ứng dụng
Dạng sóng hình sin 50Hz / 60zHz trên
phạm vi nhiệt độ -40 đến +125 oC.
(2) 10 phút tối đa độ rộng xung
(3) Giá trị tối đa cho Tj = 125 oC.
(4) Giá trị tối thiểu cho tuyến tính và hàm mũ
waveshape đến 80% đánh giá VDRM. Cổng mở.
Tj = 125 oC.
(5) Giá trị không lặp lại.
(6) Giá trị của di / dt được thiết lập theo
với RS-397 tiêu chuẩn EIA / NIMA, Phần
5-2-2-6. Giá trị được xác định sẽ là addi-
Tion để có được từ một mạch snubber,
bao gồm một tụ điện 0,2 F và 20 ohms
kháng song song với thristor dưới
kiểm tra.
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỬ
Chặn - Tắt bang
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại
V DRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại
V RSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
15 mA 65 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
500 V/msec |
Tiến hành - về nhà nước
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
2000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMSM |
|
3140 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.6 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.06x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.6 |
|
V |
ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC |
Threshold vlotage |
VT0 |
|
- |
|
V |
|
Slope resistance |
rT |
|
- |
|
mΩ |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỬ
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 150 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
Năng động
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.5 |
0.7 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
35 |
|
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
400 |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* Đối với tối đa được đảm bảo. Giá trị, liên hệ nhà máy.
ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
23 45 |
|
oC/KW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
10 20 |
|
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
24.5 |
26.7 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
460 |
g |
About |
* Bề mặt lắp đặt nhẵn, phẳng và bôi trơn
TRƯỜNG HỢP VÀ KHAI THÁC
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.