YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Thiết bị đĩa bán dẫn (loại viên nang)> Giai đoạn kiểm soát thyristor.> KK2000A2000V thyristor biến tần
KK2000A2000V thyristor biến tần
KK2000A2000V thyristor biến tần
KK2000A2000V thyristor biến tần

KK2000A2000V thyristor biến tần

Nhận giá mới nhất
Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Air
Hải cảng:SHANGHAI
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-KK2000A2000V

Thương hiệuYZPST

Đóng gói và giao hàng
Loại gói hàng : 1. Bao bì chống tĩnh điện 2. Hộp carton 3. Bao bì nhựa bảo vệ
Mô tả sản phẩm

THYRISTOR ĐIỆN CAO CẤP CHO KIỂM SOÁT

YZPST-KK2000A2000V


Tính năng, đặc điểm:

. Tất cả cấu trúc khuếch tán

. Cấu hình cổng khuếch đại trung tâm

. Thời gian tắt tối đa được đảm bảo

. Khả năng dV / dt cao

. Thiết bị lắp ráp áp lực



Ghi chú:

Tất cả các xếp hạng được chỉ định cho Tj = 25 oC trừ khi

nói cách khác.

(1) Tất cả các xếp hạng điện áp được chỉ định cho một ứng dụng

Dạng sóng hình sin 50Hz / 60zHz trên

phạm vi nhiệt độ -40 đến +125 oC.

(2) 10 phút tối đa độ rộng xung

(3) Giá trị tối đa cho Tj = 125 oC.

(4) Giá trị tối thiểu cho tuyến tính và hàm mũ

waveshape đến 80% đánh giá VDRM. Cổng mở.

Tj = 125 oC.

(5) Giá trị không lặp lại.

(6) Giá trị của di / dt được thiết lập theo

với RS-397 tiêu chuẩn EIA / NIMA, Phần

5-2-2-6. Giá trị được xác định sẽ là addi-

Tion để có được từ một mạch snubber,

bao gồm một tụ điện 0,2 F và 20 ohms

kháng song song với thristor dưới

kiểm tra.


ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỬ

Chặn - Tắt bang

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại

V DRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại

V RSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/msec


Tiến hành - về nhà nước

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2000

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

3140

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

14.6

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.06x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

1000

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

500

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.6

V

ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC

Threshold vlotage

VT0

-

V

Slope resistance

rT

-

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỬ

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

200

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

10

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

150

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Năng động

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.5

0.7

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

35

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

400

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Đối với tối đa được đảm bảo. Giá trị, liên hệ nhà máy.

ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

23

45

oC/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

kN

Weight

W

460

g

About

* Bề mặt lắp đặt nhẵn, phẳng và bôi trơn

TRƯỜNG HỢP VÀ KHAI THÁC

C458PB thyristor

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi