2100V Interdigitated khuếch đại giai đoạn kiểm soát Thyristor
Nhận giá mới nhấtHình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-R2619ZC21J
Thương hiệu: YZPST
YZPST-R2619ZC21J
Tính năng, đặc điểm:
. Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Cấu hình cổng khuếch đại Interdigitated
. Đảm bảo thời gian tắt tối đa được đảm bảo
. Khả năng dV / dt cao
. Thiết bị lắp ráp áp lực
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN VÀ RATINGS
Chặn - Tắt trạng thái
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2100 |
2100 |
2200 |
V RRM = Điện áp đảo ngược đỉnh lặp đi lặp lại
V DRM = Điện áp trạng thái ngoài đỉnh lặp đi lặp lại
V RSM = Điện áp ngược cực đại lặp đi lặp lại (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 200 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Tiến hành - về trạng thái
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
2619 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
5227 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
33.8
37.2 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
5.71x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.3 |
|
V |
ITM = 4000 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Hẹn hò
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Năng động
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
- |
0.8 |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
1.5 |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
|
- |
50 |
ms |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
NHIỆT VÀ ĐẶC ĐIỂM NHIỆT VÀ NHIỆT
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - junction to sink |
RQ (c-s) |
|
11 22 |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
F |
27 |
47 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
1.7 |
Kg |
about |
* Gắn bề mặt nhẵn, phẳng và mỡ
Lưu ý: đối với đường viền và kích thước thùng, hãy xem bản vẽ phác thảo trường hợp ở trang cuối cùng của Dữ liệu kỹ thuật này
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
109 |
73 |
98 |
3.5×3 |
35±1 |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.