Điều khiển pha trực tiếp thyristors DCR1278
Nhận giá mới nhấtHình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
Hải cảng: | SHANGHAI |
Mẫu số: YZPST-DCR1278
Thương hiệu: YZPST
Điều khiển pha thyristor công suất cao
YZPST-DCR1278
Tính năng: Khả năng dV / dt cao . Chặn công suất lên tới 4200 volt, Cấu hình cổng khuếch đại trung tâm, Thời gian tắt tối đa được đảm bảo, Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Thiết bị lắp ráp áp lực
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1100 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=65oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2000 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
16.4 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.35x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
300 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.2 |
|
V |
ITM = 2900 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
100 |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V |
ĐẶC ĐIỂM VÀ TƯƠNG LAI ĐIỆN (tiếp theo)
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
- |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
- |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 400 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 4.0 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
- |
|
V |
|
Năng động
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
- |
- |
ms |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
- |
ms |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V |
* Đối với tối đa được đảm bảo. Giá trị, liên hệ nhà máy.
ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
oC/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - junction to sink |
RQ (j-s) |
|
0.024 - |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
20 |
24 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
|
* Gắn bề mặt nhẵn, phẳng và bôi trơn
TRƯỜNG HỢP VÀ KHAI THÁC
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.