YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Nhà> Sản phẩm> Thiết bị đĩa bán dẫn (loại viên nang)> Giai đoạn kiểm soát thyristor.> Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT
Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT
Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT
Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT
Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT
Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT

Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT

Nhận giá mới nhất
Hình thức thanh toán:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:Ocean,Air
Hải cảng:Shanghai
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốYZPST-N1042LS18

Thương hiệuDUY NHẤT

Mô tả sản phẩm
Giao hàng nhanh Siemens Thyristor
YZPST-N1042LS18


Đặc trưng: Cấu hình cổng khuếch đại kỹ thuật số . Khả năng dV / dt cao . Thiết bị lắp ráp áp suất. Tất cả cấu trúc khuếch tán. Đảm bảo thời gian tắt tối đa .



Fast Delivery Siemens Thyristor YZPST-N1042LS18



Tiến hành - về nhà nước

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1042

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)M

2072

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

11.52

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

661x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.75

V

ITM = 1700 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V



Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Năng động

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

-

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

ĐẶC ĐIỂM VÀ NHIỆT ĐỘNG CƠ VÀ CƠ KHÍ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Gắn bề mặt nhẵn, phẳng và bôi trơn

Lưu ý: đối với phác thảo trường hợp và kích thước, xem bản vẽ phác thảo trường hợp trong trang 3 của Dữ liệu kỹ thuật này



Hình ảnh chi tiết
Fast Delivery Siemens Thyristor YZPST-N1042LS18

Nhà> Sản phẩm> Thiết bị đĩa bán dẫn (loại viên nang)> Giai đoạn kiểm soát thyristor.> Giao hàng nhanh Siemens Tất cả các thyristor khuếch tán cao DV / DT
苏ICP备05018286号-1
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi