| Hình thức thanh toán: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Giao thông vận tải: | Ocean,Air |
| Hải cảng: | Shanghai |
Mẫu số: YZPST-R219CH12FN0
Thương hiệu: DUY NHẤT
Thyristor công suất cao để điều khiển pha
YZPST-R219CH12FN0
Đặc trưng:
.Quản lý thời gian tắt tối đa
. Tất cả cấu trúc khuếch tán
. Thiết bị lắp ráp áp lực
Cấu hình cổng khuếch đại .Interdigitated
. Khả năng dV / dt cao
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN VÀ T R LỆ
Chặn - Tắt bang
|
|
|
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
1200 |
1200 |
1300 |
V RRM = Điện áp ngược cực đại lặp lại
V DRM = Điện áp trạng thái cực đại lặp đi lặp lại
V RSM = Điện áp ngược cực đại không lặp lại (2)
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
Ghi chú:
Tất cả các xếp hạng được chỉ định cho Tj = 25 o C trừ khi có quy định khác.
(1) Tất cả các xếp hạng điện áp được chỉ định cho một ứng dụng
Dạng sóng hình sin 50Hz / 60zHz trên
phạm vi nhiệt độ -40 đến +125 o C.
(2) 10 phút tối đa độ rộng xung
(3) Giá trị tối đa cho Tj = 125 o C.
(4) Giá trị tối thiểu cho sóng tuyến tính và hàm mũ đến 80% V DRM được xếp hạng. Cổng mở. Tj = 125 o C.
(5) Giá trị không lặp lại.
(6) Giá trị của di / dt được thiết lập theo với tiêu chuẩn EIA / NIMA RS-397, Mục 5-2-2-6. Giá trị được xác định sẽ cộng với giá trị thu được từ mạch ubber, bao gồm một tụ điện 0,2 m F và 20 ohmsresistance song song với thristor được thử nghiệm.
Tiến hành - về nhà nước
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
929 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1893 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
405x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
|
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.04 |
|
V |
ITM = 1400 A |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Năng động
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
|
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
10 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
|
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
Điện thoại: 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
Địa chỉ: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
Trang web: https://vi.yzpst.com
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Contact Now