Công suất cao phục hồi nhanh Diode

Nhận giá mới nhất

Hình thức thanh toán:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Giao thông vận tải:	Ocean,Air
Hải cảng:	SHANGHAI

Liên hệ với bây giờ

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: YZPST-SD233N/R

Thương hiệu: YZPST

Mô tả sản phẩm

Công suất cao Phục hồi nhanh Diode

PHỤC HỒI PHỤC HỒI NHANH, Phiên bản Stud

Các tính năng : High power FAST phục hồi diode loạt, 1.0 đến 2.0 μs thời gian phục hồi, điện áp cao xếp hạng lên đến 5000 V, Khả năng hiện tại cao, Tối ưu hóa bật và tắt các đặc điểm, Lo w phục hồi về phía trước, Khôi phục ngược nhanh và mềm, Nén đóng gói ngoại quan, Phiên bản Stud B-8, Nhiệt độ đường giao nhau tối đa 125 ° C

Các ứng dụng tiêu biểu: Diode snubber cho GTO, phục hồi nhanh, ứng dụng chỉnh lưu

High Power FAST Recovery Diode YZPST-SD233NR (1)

High Power FAST Recovery Diode

Chuyển tiếp

Parameters	PSTSD233N/R	Units	Conditions
IF(AV Max. average forward current @ Case temperature	250	A	180° conduction, half sine wave
IF(AV Max. average forward current @ Case temperature	60	°C	180° conduction, half sine wave
IF(RMX) Max. RMS forward current	390	A
IFSM Max. peak, one-cycle forward non-repetitive surge current	5500	A	t = 10ms	No voltage reapplied	Initial TJ =TJmax.
	5760	A	t = 8.3ms	No voltage reapplied
I2t Maximum I2t for fusing	150000	A2s	t = 10ms	No voltage reapplied
I2t Maximum I2t for fusing	140000	A2s	t = 8.3ms	No voltage reapplied
I2√t Maximum I2√t for fusing	1500000	KA2√s	I2t for time tx = I2√t x √tx ; 0.1 ≤ tx ≤ 10ms, VRRM = 0V
VFM Maximum forward voltage drop	3.0	V	TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm)
IRRM Max. DC reverse current	10.0	μA	TJ = 25 oC, per diode at VRRM
Trr	5	μs